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吴中林

作品数:16 被引量:23H指数:3
供职机构:上海第二工业大学理学院更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金上海市浦东新区科技发展基金上海第二工业大学校基金更多>>
相关领域:电子电信医药卫生电气工程理学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇量子效率
  • 6篇功率
  • 6篇大功率
  • 4篇发光
  • 4篇大功率LED
  • 3篇外量子效率
  • 3篇像差
  • 3篇芯片
  • 3篇光效
  • 3篇光效率
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇封装
  • 3篇白光
  • 3篇大功率白光
  • 2篇衍射
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇入射
  • 2篇入射角

机构

  • 16篇上海第二工业...

作者

  • 16篇吴中林
  • 12篇徐华斌
  • 6篇刘传先
  • 6篇陈林
  • 5篇陈林
  • 5篇占美琼
  • 2篇吴恒莱
  • 2篇邢冰
  • 1篇谢华清
  • 1篇孙秋冬
  • 1篇黎阳
  • 1篇左健存
  • 1篇桂林
  • 1篇王胜利
  • 1篇张华
  • 1篇刑冰

传媒

  • 6篇上海第二工业...
  • 2篇激光生物学报
  • 2篇光源与照明
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 5篇2007
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提高大功率LED芯片出光效率的方法
一种提高大功率LED芯片出光效率的方法,是在蓝宝石衬底上连接中间含有源层的GaN晶体,再在GaN晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。增透膜所对应的增透波长应与芯片有源层所发出的光的波长一致,而且增透膜需有3-5纳...
吴中林徐华斌陈林刘传先
文献传递
人眼波前像差数值表示及测量方法的研究
2007年
人眼离焦和散光两个缺陷可以通过佩戴框架眼镜、角膜接触镜、激光屈光手术得到矫正。但是,即使矫正后的眼睛屈光处于最佳状态,但仍不能获得最佳视觉敏锐度。这是因为人眼存在着光学像差。从人眼像差的测量方法和数值表示法来进行分析,并引入Zern ike多项式来表示波前像差,为用准分子激光进行眼球像差矫正提供理论依据。
徐华斌吴中林刘传先邢冰陈林
关键词:波前像差ZERNIKE多项式
大功率白光LED应用中的辐射散热技术研究被引量:6
2011年
大功率白光LED热问题的解决是保障其正常工作的重要条件。研究了室内半导体照明中的辐射散热技术,分析了不同发射率表面的辐射能力随温度变化的关系。结果表明,在没有对流散热的情况下,室内白光LED吸顶灯可通过辐射的方法进行散热。辐射成为半导体照明灯具散热的一个不可忽视的有效途径。
吴中林徐华斌占美琼
关键词:白光LED照明散热
大功率白光LED的封装技术研究被引量:2
2008年
研究了40 mil×40 mil瓦级大功率白光LED封装的关键技术,采用1W的蓝光芯片加YAG荧光粉封装的白光LED,在350 mA的恒定电流驱动下,获得了130.3lm的发光通量,发光效率达108.6lm/W,显色指数约为91.5。
吴中林徐华斌刘传先陈林
关键词:功率型LED封装白光光衰发光效率
一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片
一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片,它包括:蓝宝石或GaN衬底、在衬底上生长的GaN薄膜、以及在GaN薄膜中间的有源发光层,其特点是:蓝宝石或GaN衬底为半球形,在衬底上生长的GaN薄膜以及在GaN薄膜中间的...
吴中林徐华斌陈林
文献传递
大功率LED镀膜芯片
一种大功率LED镀膜芯片,是在蓝宝石衬底上生长中间含有源层的GaN晶体,再在GaN晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。增透膜所对应的增透波长应与芯片有源层所发出的光的波长一致,而且增透膜需有3-5纳米的带宽,以防...
吴中林徐华斌陈林刘传先
文献传递
用于抽运双包层光纤激光器的多模光纤耦合器(英文)
2009年
给出了一种光纤耦合器,它有16个输入端和一个输出端,由光纤熔融和拉锥的方法制造而成。该耦合器的平均耦合效率为93.7%,平均插入损耗为2.84分贝,可用于抽运输出功率为十几瓦的双包层全光纤激光器。
吴中林占美琼徐华斌
关键词:光纤耦合器拉锥双包层全光纤激光器
提高LED外量子效率被引量:6
2007年
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响。
占美琼吴中林吴恒莱陈林
关键词:发光二极管外量子效率
一种提高大功率GaN基LED芯片外量子效率的方法
一种提高大功率GaN基LED芯片外量子效率的方法,其特点是采用半球形蓝宝石或GaN衬底,在衬底上生长半球形GaN薄膜、以及在GaN薄膜中间的有源发光层,有源发光层所发出的光线经GaN薄膜表面出射时,让入射角小于全反射的临...
吴中林徐华斌陈林
文献传递
硅基谐振结构中非线性光学效应导致的光学传播参数非互易分析
2017年
研究全硅基光学二极管,即在硅基芯片上实现非互易光学传输,是一项具有广泛应用前景并极具技术挑战的研究课题。采用硅基谐振结构微纳器件中非线性光学效应,完成光学非互易传输,是当前实现硅基光学二极管的重要方法。结合硅基波导中的非线性光学效应的基本原理,以及谐振结构微纳器件的基本模型,分析了硅基谐振结构微纳器件构成的光学二极管中的非互易传输问题。仿真结果表明,依靠谐振结构中的非线性光学效应产生的器件非互易特性仅存在于特定频率,这种非互易性在谐振波长附近的一段频率区域较为明显,考虑3 d B以上的非互易传输比率区间,区间宽度累计可以达到10.6 GHz以上。分析了微环耦合系数对硅基光学二极管的非互易传输比率的影响,得出结论:精确控制波导的耦合系数,使得微环工作在接近临界耦合的状态,有助于提升器件的非互易传输比率。
桂林左健存吴中林孙秋冬张华王胜利
关键词:非线性光学
共2页<12>
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