任国强
- 作品数：31 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信化学工程更多>>
- 自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
- 本发明公开了一种助熔剂法生长自分离氮化镓单晶的方法，包括：采用助熔剂法，以自支撑氮化镓作为籽晶，在所述自支撑氮化镓上生长微孔层；以及利用液相外延方法在所述微孔层上生长获得自分离氮化镓单晶。较之现有技术，本发明通过控制助熔...
- 刘宗亮徐科任国强王建峰
- 文献传递
- 氮化镓体单晶生长的进展
- 2017年
- 主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等。比较了3种方法的生长机制。其次,通过纳米压痕仪和高空间分辨表面光电压谱两种方法研究了体单晶中位错的力学行为。最后,介绍了GaN体单晶衬底在器件方面的应用。
- 王建峰任国强徐科
- 关键词：氮化镓单晶氢化物气相外延
- 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究被引量：1
- 2020年
- 籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多。为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高。本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了两种籽晶氨热生长后晶体表面、生长速率、结晶质量、应力状况。光学显微镜表明两种籽晶生长后晶体的表面具有相似的丘状表面。氨热法生长速率较慢,化学机械抛光籽晶生长速率略高于粗磨籽晶。X射线单晶衍射(XRD)(002)和(102)的摇摆曲线半高宽显示抛光籽晶与粗磨籽晶生长得到GaN结晶质量基本一致。Raman E2(high)频移表明抛光籽晶生长的GaN晶体接近无应力状态,粗磨籽晶生长的晶体存在较小的压应力。
- 姚晶晶任国强李腾坤苏旭军邱永鑫许磊许磊徐科
- 关键词：氮化镓化学机械抛光
- 极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
- 本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
- 刘宗亮徐科任国强王建峰
- 掺杂Mg的p型Ⅲ族氮化物单晶及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种掺杂Mg的p型III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂Mg的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～600Mpa的条件下获得所述掺杂...
- 李腾坤任国强苏旭军高晓冬刘宗亮王建峰徐科
- 文献传递
- 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
- 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga<Sup>...
- 曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平
- 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法
- 本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga<Sup>3+</Sup>的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述...
- 曾雄辉徐科王建峰任国强黄凯包峰张锦平
- 极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
- 本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
- 刘宗亮徐科任国强王建峰
- 文献传递
- HVPE生长GaN衬底研究进展
- 王建峰徐科任国强张纪才蔡德敏徐俞张育民胡晓剑王明月
- 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
- 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga<Sup>...
- 曾雄辉徐科王建峰任国强包峰黄凯张锦平
- 文献传递
