任国强
- 作品数：15 被引量：19H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省科技厅科研项目更多>>
- 相关领域：医药卫生理学电子电信农业科学更多>>
- 100KV高压静电变压器绝缘结构探讨
- 1997年
- 本文提出ＨＤ１Ａ－１００ＫＶ／２０ｍＡ高压静电除尘器电源变压器低压骨架，高压骨架，中筒，低压绕组的绝缘结构及高压绕组两种绝缘结构。
- 张子生任国强
- 关键词：静电变压器绝缘结构静电除尘器
- 针-板介质阻挡放电3种放电模式特性被引量：2
- 2011年
- 设计了一种具有透明平板电极的针-板介质阻挡放电装置,研究了大气压氩气/空气混合气体放电中不同放电模式的特性.实验通过改变电压,实现了3种模式的放电:电晕放电、单丝放电和火花放电.在3种模式中,电流脉冲在外加电压的正、负半周表现出不同性质.采集了3种放电模式下的发射光谱,计算了分子振动温度,结果表明:电晕放电时分子振动温度最高,单丝放电次之,火花放电最低.
- 任国强杨丽
- 关键词：介质阻挡放电电晕放电火花放电
- 去除效价的土霉素药渣亚慢性毒性试验被引量：4
- 2010年
- 用小鼠对去除效价的土霉素药渣进行亚慢性毒性试验,探讨在处理土霉素药渣过程中是否产生有毒物质。结果表明,饲喂处理后药渣的小鼠与饲喂原药渣的小鼠各脏器系数没有显著差异(P>0.05),证明经过处理的药渣不仅与原药渣的各项指标相同,而且使残留效价大幅度降低。
- 孙宏丽刘智勤徐红欣杨宝柱任国强
- 关键词：毒性脏器系数
- 中红外辐射与红外理疗
- 1997年
- 根据不同波段红外光的辐射特性,通过对小白鼠进行照射比较研究,分析了红外辐射对动物机体作用的影响,对红外理疗机机理及改进进行了探讨。
- 任国强徐景智闫肃
- 关键词：红外辐射免疫理疗
- 化学法消除土霉素滤渣残留效价的研究
- 孙宏丽刘智勤陈鹊汀李岩王军闫正杨景发任国强刘素玲闫其年
- 该课题从化学方法入手，利用盐酸、氧化钙、甲醇等化学试剂及加热等方法，研究了去除土霉素药渣中残留有效成分的影响因素，确定了消除土霉素滤渣中残留效价的最佳条件。并通过小鼠做毒性试验，证明了“去除土霉素药渣中残留有效成分方法”...
- 关键词：
- 关键词：化学法蛋白饲料
- 开发土霉素滤渣作为菌体蛋白饲料的新工艺被引量：2
- 2009年
- 根据土霉素药渣成分及土霉素的理化性质,试验研究了土霉素滤渣作为菌体蛋白饲料的新工艺,探讨用加入盐酸、氧化钙、甲醇及加热的方法处理土霉素滤渣,减少土霉素药渣中残留有效成分的含量,确定了最佳的工艺参数,经过处理后的土霉素滤渣的效价平均结果为430IU,消除率可达96.93%。
- 孙宏丽闫正王军任国强
- 关键词：蛋白饲料
- 微波压力萃取中草药装置的应用被引量：2
- 2012年
- 为了将微波压力萃取中草药的技术成果转化为工业生产能力,研制了一款微波压力萃取中草药的中试样机,萃取罐有效容积25L,工作压力0～0.4 MPa,微波频率为2 450 MHz,功率,温度、压力可调控。实验表明,样机适用于绝大多数中草药的萃取,萃取率明显高于常压微波萃取,在萃取过程中不会产生有毒的物质。通过萃取实验,获得了部分工艺条件,对工业生产有指导作用。
- 任国强闫正孙宏丽
- 关键词：中草药萃取率
- 切向光栅对的构成及特性分析被引量：1
- 2008年
- 经过理论分析得出了与切向光栅对各种构成方式对应的莫尔条纹间距的定量关系式.设计制作了1组光栅,并进行了实际测量,结果表明所得关系式与实测结果符合得很好.这对在"位置细分"技术中开拓排布光电传感器所需空间、提高测量分辨率和测量精度十分有利.
- 任国强马全喜
- 关键词：莫尔条纹
- 大容量微波中药萃取装置的研发
- 任国强孙宏丽刘秀焕韩钧闫正杨景发
- 一种利用微波能加热提高中药萃取率的技术，具有选择性高、萃取时间短、溶剂消耗量少、有效成分萃取率高等优点。确定了“大容量微波中药萃取装置”的实施技术方案；完成了“罐体内分多层辐射”和“波导管防漏”的结构以及“控制电路”设计...
- 关键词：
- 关键词：中草药
- 用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能被引量：2
- 2012年
- 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
- 任国强邢金柱李晓红郭建新代秀红杨保柱赵庆勋
- 关键词：CU互连阻挡层射频磁控溅射
