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黄延红
作品数:
29
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院物理研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电子电信
化学工程
环境科学与工程
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合作作者
金奎娟
中国科学院物理研究所
何萌
中国科学院物理研究所
杨国桢
中国科学院物理研究所
吕惠宾
中国科学院物理研究所
周岳亮
中国科学院物理研究所
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机构
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聊城大学
作者
29篇
黄延红
28篇
吕惠宾
28篇
杨国桢
28篇
何萌
28篇
金奎娟
27篇
陈正豪
27篇
周岳亮
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2006
3篇
2005
2篇
2004
共
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一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件
本发明涉及一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件,包括:外壳、光响应层为生长在衬底上的R<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>组成的掺杂锰酸盐薄膜,其厚度为0.5nm~2...
赵昆
吕惠宾
黄延红
何萌
金奎娟
陈正豪
周岳亮
程波林
戴守愚
杨国桢
文献传递
具有磁电阻特性的异质结材料
本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料,包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层,在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层;在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层,掺杂锰氧化物层再生长辅助层,依次进行叠层;制备两种材料异质结磁电阻材...
吕惠宾
何萌
赵昆
黄延红
金奎娟
刘国珍
邢杰
陈正豪
周岳亮
杨国桢
文献传递
原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究
2004年
采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.
吕惠宾
戴守愚
陈正豪
周岳亮
金奎娟
程波林
何萌
郭海中
刘立峰
黄延红
杨国桢
关键词:
氧化物
P-N结
用掺杂氧化物和硅异质结材料制的超快宽波段光探测器
本发明涉及利用掺杂氧化物和硅异质结材料制作的超快响应、宽频段、高灵敏度和抗辐射光探测器,包括:外壳,光传感器,第一电极,第二电极,两根电极引线,绝缘片,第一金属块,第二金属块和金属螺钉;所述的光传感器是由一个或多个串联的...
吕惠宾
何萌
黄延红
赵昆
金奎娟
陈正豪
周岳亮
杨国桢
文献传递
钙钛矿氧化物p-n异质结的制备和特性研究
自从高温超导和庞磁电阻现象发现以来,世界范围内掀起了研究钙钛矿氧化物的热潮,无论是相关的基础研究还是相关的工艺与技术,都取得了巨大的进展。尤其是近年来人工控制原子尺度层状外延生长钙钛矿氧化物薄膜,引起了凝聚态物理和材料科...
黄延红
关键词:
激光分子束外延
钙钛矿氧化物
高温超导
庞磁电阻
文献传递
利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器
本发明涉及利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一掺铌钛酸锶衬底上,和在其上外延生长的掺杂锰酸镧薄膜层,形成掺铌钛酸锶—掺杂锰酸镧氧化物异质结;或者在掺铌钛酸锶单晶衬底上外延生长一绝缘层,掺杂锰酸镧薄膜...
吕惠宾
黄延红
何萌
刘立峰
周岳亮
金奎娟
陈正豪
程波林
杨国桢
文献传递
利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器
本发明涉及利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器,包括:一由在氧化物单晶基片的衬底的一面上外延生长掺杂氧化物和光响应材料层作成的芯片,掺杂氧化物为外延生长在氧化物单晶衬底上的掺杂钛酸锶或掺杂钛酸钡;光响应层为掺...
吕惠宾
黄延红
何萌
郭海中
程波林
金奎娟
陈正豪
周岳亮
杨国桢
文献传递
一种利用掺杂锰酸盐异质结材料制作的光位置探测器
本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器,包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层,所述的光响应薄膜层为R<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub...
赵昆
吕惠宾
何萌
黄延红
金奎娟
邢杰
刘国珍
陈正豪
周岳亮
杨国桢
文献传递
一种具有超快响应宽频段的激光探测器件
本发明涉及一种具有超快响应宽频段的激光探测器件,包括:外壳、光响应层为生长在衬底上的掺杂锰酸盐薄膜,其厚度为0.5nm~2μm;电极设置在光响应层上,两根电极通过电极引线之间连接一个电阻,将其安装在外壳内,用同轴电缆接头...
赵昆
吕惠宾
黄延红
何萌
金奎娟
陈正豪
周岳亮
程波林
戴守愚
杨国桢
文献传递
在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法
本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底,在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO<Sub>3</Sub>薄膜材料层,其厚度为10nm~2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接...
吕惠宾
何萌
相文峰
黄延红
陈正豪
周岳亮
程波林
金奎娟
杨国桢
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