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高渊

作品数：51 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划邯郸市科学技术研究与发展计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 26篇电子电信

主题

  • 31篇谐振器
  • 31篇衬底
  • 28篇腔体
  • 21篇压电
  • 21篇压电层
  • 16篇滤波器
  • 13篇半导体
  • 12篇多层结构
  • 8篇电极
  • 8篇体声波
  • 8篇体声波谐振器
  • 8篇半导体器件
  • 7篇GAN_HE...
  • 6篇介质层
  • 6篇刻蚀
  • 4篇平坦化
  • 3篇选择比
  • 3篇压电材料
  • 3篇碳化硅
  • 3篇温度系数

机构

  • 50篇中国电子科技...
  • 3篇河北工业大学
  • 1篇邯郸学院
  • 1篇山东大学

作者

  • 51篇高渊
  • 31篇李亮
  • 31篇梁东升
  • 30篇马杰
  • 27篇商庆杰
  • 26篇李丽
  • 21篇张力江
  • 16篇崔玉兴
  • 12篇付兴昌
  • 10篇王强
  • 10篇李宏军
  • 10篇卜爱民
  • 10篇杨志
  • 9篇宋洁晶
  • 6篇周国
  • 5篇付兴中
  • 4篇谭永亮
  • 3篇胡泽先
  • 2篇刘英坤
  • 2篇田秀伟

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 6篇2024
  • 12篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 18篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Si基GaN器件的通孔制备方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN器件的通孔制备方法，该方法包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶...
周国高渊刘亚亮杨志虎刘相伍张力江崔玉兴
文献传递
薄膜体声谐振器和半导体器件
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
体声波谐振器和半导体器件
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
文献传递
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；和桥部，设置在...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究被引量：2
2019年
通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性。
高渊
集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备...
廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
文献传递
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层...
李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
文献传递
体声波谐振器、其制作方法和半导体器件
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成...
李亮钱丽勋吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰李宏军李丽卜爱民王强付兴昌
一种GaN HEMT器件及制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅...
张力江高渊高昶王国清宋洁晶付兴昌
文献传递
谐振器及滤波器
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体...
李亮李宏军吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东崔玉兴张力江刘相伍杨志商庆杰钱丽勋李丽卜爱民王强付兴昌
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