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韩超

作品数：60 被引量：15H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 4篇学位论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 20篇电池
  • 16篇欧姆接触
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇接触电极
  • 12篇碳化硅
  • 11篇肖特基
  • 10篇核电池
  • 10篇放射性
  • 10篇放射性同位素
  • 8篇图像
  • 8篇肖特基接触
  • 7篇电极
  • 6篇钝化层
  • 6篇搜索
  • 6篇搜索窗
  • 6篇外延层
  • 6篇二极管
  • 5篇去噪
  • 5篇终端结构
  • 5篇小波

机构

  • 60篇西安电子科技...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇军事科学院

作者

  • 60篇韩超
  • 42篇张玉明
  • 26篇郭辉
  • 19篇汤晓燕
  • 19篇宋庆文
  • 19篇袁昊
  • 8篇侯彪
  • 8篇石彦强
  • 8篇焦李成
  • 6篇王爽
  • 6篇张小华
  • 6篇钟桦
  • 6篇王桂婷
  • 4篇张玉娟
  • 4篇张克基
  • 4篇张义门
  • 4篇贾仁需
  • 3篇张林
  • 2篇侯学智
  • 2篇马晶晶

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇高电压技术
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 10篇2024
  • 6篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于小波低频的贝叶斯去噪方法
本发明公开一种基于小波低频的贝叶斯去噪方法，包括如下步骤：步骤1.输入一副待去噪的自然图像；步骤2.选取待估计像素块；步骤3.选取中心低频系数块；步骤4.确定搜索窗；步骤5.选取低频系数块；步骤6.判断是否满足约束条件；...
钟桦焦李成韩超张小华王爽王桂婷侯彪
基于MRF先验的SAR图像去斑方法
一种图像处理技术领域基于MRF先验的SAR图像去斑方法，包括如下步骤：1.输入一副待去斑的SAR图像；2.选取中心像素块；3.确定搜索窗；4.选取相似块；5.计算相似性权值；6.遍历搜索窗；7.计算待估计像素点的恢复值；...
钟桦焦李成李永伟张小华王爽韩超王桂婷侯彪
一种高温pin紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种高温pin紫外探测器，属于微电子技术领域，包括自下而上层叠设置的4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC接触层；4H‑SiC接触层、4H‑SiC吸收层以及4H‑SiC外延层...
杜丰羽龚志鹏袁昊宋庆文周瑜汤晓燕韩超张玉明
碳化硅栅状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的栅状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、栅状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超贾仁需苏江黄建华
一种具有隐埋屏蔽层的SiC沟槽MOSFET器件
本发明公开了一种具有隐埋屏蔽层的SiC沟槽MOSFET器件，包括：第一元胞结构，第一元胞结构包括第一区域和第二区域、以及位于第一区域与第二区域之间的第一中间区域；第一元胞结构包括层叠设置的衬底、漂移区、电流传输层、P基区...
宋庆文王岩汤晓燕袁昊韩超张玉明
P型基区碳化硅DAS器件及其制备方法
本发明公开了一种P型基区碳化硅DAS器件及其制备方法，P型基区碳化硅DAS器件，包括：衬底、外延结构、阳极和阴极，外延结构依次包括位于衬底一侧的N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区，阳极位于外延结构远离衬底的一侧，阴...
汤晓燕周瑜宋庆文张玉明韩超
文献传递
微型核电池
本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(...
张林郭辉张义门韩超张玉明
文献传递
具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法
本发明涉及一种具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及制备方法，终端结构包括：碳化硅衬底层(101)；半导体层(102)，位于碳化硅衬底层(101)上；结终端扩展区(103)，位于半导体层(102)中；有源区(104)，...
韩超孔龙龙王婷钰张玉明汤晓燕宋庆文
文献传递
一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法
本发明公开了一种纳微米级非接触原位光学热表征技术组合的测量方法，该方法包括：对于较大器件尺寸、测量精度要求不高、定性评估主要热源区域或热失效定位的宽禁带半导体功率器件热表征应用需求，采用红外热成像方式；对于较小器件尺寸、...
张栢胜李园马晓华陆小力韩超黄永何云龙赵元富郝跃
一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法
本发明涉及一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法，辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接...
韩超钱驰文袁飞霞郭辉张玉明袁昊
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