陈志武
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 可擦重写光盘记录介质材料及其特性被引量：1
- 2000年
- 可擦重写光盘因其能对已写入文件进行改写,因此比只读光盘、一次写入光盘具有更大的灵活性,从而具有很好的应用前景。论述了两种可擦重写光盘记录介质即磁光盘记录介质与相变光盘记录介质的记录机理,并详细阐述了两种记录介质的性能要求。
- 张喜燕陈志武
- 关键词：磁光盘相变光盘
- Sb-Se、Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质材料热力学性能参数
- 2002年
- 利用热差分析(DSC)技术对Sb-Se和Ge-Sb-Te系合金的热力学性质进行了研究。结果表明,Sb-Se系合金的DSC曲线只有一个放热峰,温度为220℃。Sb2 Se3的晶化激活能为3 03ev,SbSe的晶化激活能为1 565ev,SbSe2的晶化激活能为2 1ev。Sb-Se-Te系合金的DSC曲线有两个放热峰,分别是140℃和200℃左右。GeSb2Te4形成亚稳晶态与稳定晶态的激活能分别为1 88ev和2 35ev,GeSb4Te4的分别为2 19ev和2 67ev。向Sb-Se系合金中符合化学计量比的Sb2Se3添加少量的Sb、Se元素,其晶化活化能明显降低。而对GeSb4Te4系合金添加少量Sb元素可抑制稳定晶相的生成,从而兼顾室温稳定性,快速擦除及反复写擦稳定性的多重要求,同时由于Ge、Te元素的玻璃化温度都较高,故而将有力抑制室稳晶化倾向。
- 张喜燕陈志武周世杰刘志农高界铭易锦
- 关键词：晶化激活能相变光盘
- Tb-Fe-Co磁光薄膜溅射条件对Kerr转角的影响
- 2001年
- 在实际磁光盘生产线上大都使用合金溅射靶溅射记录介质膜，而尚未有直接使用合金靶研究这些关系的报道．我们首先研制了用于磁光溅射的系列合金靶，并完善了靶材制造工艺参数．且在此基础上进行了成分以及溅射参数对各种磁光性能影响的研究。首先确定了各种溅射功率和Ｎ２－Ａｒ气流量下Ａｌ、Ｓｉ以及 Ｔｂ－Ｆｅ－Ｃｏ（Ｍｏ）的溅射速率，在此基础上通过改变溅射功率和调整气流量改变ＳｉＮ的成分和厚度。在各种功率和气流量下溅射了 Ｍｏ膜，并测定了这些磁光膜的Ｋｅｒｒ回线以获得 Ｋｅｒｒ 转角等性能，从而探讨了溅射工艺条件对 Ｋｅｒｒ的影响。
- 张喜燕刘志农陈志武
- 关键词：磁光盘磁光材料磁光性能磁光薄膜
- Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质材料研究
- 该文利用石英管真空保护熔炼技术对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质合金进行熔炼,对其组织进行了分析,并利用DSC,X射线衍射仪,分光光度计等对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质的热力学参数,非晶态薄膜相变前后...
- 陈志武
- 关键词：相变光盘记录介质热力学光学
- 文献传递
