陈志
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 真空蒸发制备高质量ITO薄膜的化学过程
- 1990年
- 用真空热蒸发法在硼硅玻璃基片上获得了高质量的ITO透明导电膜(R□=6.2Ω/□,T=90%,ρ=7.13×10^(-5)Ωcm)。用ESCA对ITO薄膜的致黑因素进行了研究,发现化学计量比偏移是造成透过率降低的主要原因之一。提出了一个新的化学蒸发模型,认为氧化反应不但发生在基片上,也发生在蒸发源的表面附近。源的表面温度控制着化学平衡In_2O(g)+O_2(g)(?)In_2O_3(g)的移动,从而影响蒸发源区的氧化与分解过程,进而决定了薄膜的化学计量比偏移。该模型能很好地解释实验中的现象并与实验结果相吻合。
- 陈志杨开愚
- 关键词：化学过程透明导电膜化学计量比表面温度
- 四极场质谱计临近上限的线性特性
- 1990年
- 文中介绍了目前已发表的,四级场质谱计在133×10^(-4)Pa时的结果,测出了四级场质谱计临近上限的线性特性,并对实验结果作出了初步的解释,线性上限由总压强所确定的对稳定离子碰撞损失率所决定,影响线性指数的主要因素是收集极的二次电子发射。
- 金懋昌陈志
- 关键词：质谱计收集极二次电子发射影响线
