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赵谦: 作品数：18 被引量：23H指数：4; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：5: 2006年; 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1·66μm和1·74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1·74μm激光器的特征温度T0=57K,和1·55μmInGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.; 潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩; 关键词：MOCVD INGAAS/INGAASP 应变量子阱分布反馈激光器

一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法: 本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸...; 赵谦潘教清周帆王宝军王圩; 文献传递

InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质被引量：2: 1998年; 我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ．; 陈枫封松林杨锡震王志明赵谦赵谦; 关键词：砷化铟自组织生长量子点

超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：6: 2006年; 采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲.; 赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩; 关键词：超低压集成光电子器件超短光脉冲

自组织生长InAs/GaAs量子点--生长机理与光学性质: 自组织生长InAs/GaAs量子点由于其独特的光电特性和器件应用前景而受到人们的广泛关注.但实际生长的量子点样品尺寸分布为高斯分布,非均匀性大,使量子点样品的光荧光峰为高斯线性,并峰宽大,对器件应用不利,要求人们研究量子...; 赵谦; 关键词：光电特性生长动力学

制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法: 一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOC...; 潘教青赵谦王圩朱洪亮; 文献传递

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料: 2006年; 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.; 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩; 关键词：超低压

一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法: 本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸...; 赵谦潘教清周帆王宝军王圩; 文献传递

制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法: 一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOC...; 潘教青赵谦王圩朱洪亮; 文献传递

Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm被引量：2: 2005年; The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）. A strain buffer layer is used to avoid indium segregation. The threshold current of the device uncoated with length of 300μm is 11.5mA. The maximum output power is 14mW at 100mA. A side mode suppression ratio of 35.5dB is obtained.; 潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰