贾宝山
- 作品数：9 被引量：24H指数：3
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省教育科学规划课题国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程经济管理更多>>
- 半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量：3
- 2011年
- 提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高。
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- 关键词：增透膜折射率溅射
- 高校质量管理体系若干问题研究被引量：2
- 2017年
- 质量管理体系是目前国内众多高校赖以保持高质量科研产品研制和生产的法宝,但质量管理体系作为从企业、工业界引入的舶来品,怎样与高校自有的体制机制相结合,成为引发业内人士思考的难题。简述了质量管理体系建立的背景,并结合日常质量管理工作中遇到的诸多问题,进行归纳、分析和思考,最终给出应对措施。
- 李博贾宝山杨琼
- 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法
- 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中...
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- 文献传递
- 关于研究生培养条件影响研究生质量的实证研究被引量：1
- 2018年
- 研究生培养要素可看作是保证研究生质量的基础条件,只有在确保研究生教育资源高效配置的基础上,才能实现研究生质量的提高。本文主要针对多个高校提供的数据,从研究生培养实际出发,探究了研究生培育条件对研究生培养质量的影响,通过具体分析教学条件、学术氛围、高校制度等多个指标对研究生培养成效的影响,可为高校研究生培养提供理论支持,体现出一定的研究意义。
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- 关键词：研究生培养教育质量实证分析
- GaAs表面硫钝化工艺新研究被引量：6
- 2012年
- 为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。
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- 关键词：砷化镓钝化光致发光
- 基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究被引量：10
- 2012年
- 为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。
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- 关键词：激光器量子阱混杂
- 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法
- 一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明一种简单的提高半导体激光器COD阈值的方法，基于量子阱混杂...
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- 带有多环耦合结构的环形半导体激光器被引量：1
- 2013年
- 为了提高半导体激光器的光谱纯度、亮度和工作稳定性,对多环耦合结构的半导体激光器进行了研究。采用多环耦合与弯曲有源波导共端输出结构,使得环形结构激光器输出在光谱纯度、亮度和工作稳定性方面得到了大幅改善。器件水平远场发散角度为2.7°,输出功率达10mW,在821nm处的谱线宽度为0.26nm,实现Q因子达2737。该多环耦合结构器件具有电流对光谱调制特性,调制范围接近15nm,同时电流对谱线宽度也有一定的调制作用,调制能力在0.2nm左右。优化后器件输出的谱线宽度变窄,达到0.2nm,实现Q因子达4040。
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- 关键词：激光器光谱亮度Q因子
