您的位置: 专家智库 > >

许军

作品数:16 被引量:19H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程动力工程及工程热物理理学农业科学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 10篇电池
  • 8篇太阳电池
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化工艺
  • 2篇多结太阳电池
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇介质膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇划片
  • 2篇减反射膜
  • 2篇GA
  • 1篇电极
  • 1篇掩膜
  • 1篇掩膜版
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇预烘
  • 1篇原子氧
  • 1篇砷化镓
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法刻蚀

机构

  • 16篇中国电子科技...
  • 2篇东南大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 16篇许军
  • 7篇孙强
  • 4篇刘海港
  • 3篇王帅
  • 3篇陈文浚
  • 3篇王保民
  • 3篇肖志斌
  • 3篇孙彦铮
  • 3篇铁剑锐
  • 2篇娄朝刚
  • 2篇刘汉英
  • 2篇章健
  • 2篇杜永超
  • 2篇马荣凯
  • 2篇乔在祥
  • 2篇高伟
  • 2篇孙希鹏
  • 1篇戴晓红
  • 1篇曹全君
  • 1篇张晓兵

传媒

  • 5篇电源技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2005
  • 2篇2002
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
太阳电池规模生产条件下GaAs/Ge界面特性研究
孙强陈文浚许军刘海港马荣凯乔在祥章健
一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法
一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法,步骤包括S3、在所述太阳电池的上电极的表面制备可去除的正面保护层;制备所述正面保护层的具体步骤包括:在所述上电极的表面涂光刻胶并进行烘烤和在所述光刻胶胶面上粘贴热敏胶带。使用上述方法制...
铁剑锐李晓东孙希鹏杜永超许军肖志斌
文献传递
量子阱结构对GaInP/Ga(In)As/Ge电池的光谱响应改善
2008年
采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性。
许军刘海港王帅孙强孙彦铮王保民
关键词:光谱响应量子效率
一种太阳电池互连片防原子氧侵蚀的方法及银镀金太阳电池互连片
本发明涉及太阳电池技术领域,具体涉及一种太阳电池互连片防原子氧侵蚀的方法,包括以银箔为互连片基底,使用电子束真空蒸镀的方法在银箔的两面蒸镀金层。优选的,还包括在对银箔的两面蒸镀金之前使用溶剂清洗银箔的表面,更优选的,使用...
李小利刘汉英郝晓丽许峰许军欧伟孙希鹏
文献传递
大面积高效率空间用三结砷化镓太阳电池的研究
在电池中引入布拉格反射器,提高电池抗带电子辐照能力,经辐照后使电池最大功率平均衰减小于18%.优化上电极栅线结构,当上电极细栅间距为1.Omm时电池平均短路电流为456.2mA.采用TiOx/A1Ox双层减反射膜结构,短...
铁剑锐许军肖志斌杜永超
关键词:功率分析
External Quantum Efficiency of Quantum Well Solar Cells被引量:1
2008年
The external quantum efficiency of quantum well solar cells (QWSCs) is compared with the control cells without multi-quantum wells. The QWSCs extend the absorption spectrum from 870 to 1000nm. When the wavelength is below 680nm,the external quantum efficiency of the QWSCs is lower than that of the control cells, but when the wavelength is above 680nm, the external quantum efficiency of the QWSCs is higher than that of the control cells. The possible reasons for this phenomenon are discussed. Basing on the experimental data,the possibility of substituting the middle cells of conventional triple-junction solar cells with the QWSCs to improve their performance is also discussed.
娄朝刚严亭孙强许军张晓兵雷威
一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法
本发明提供一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法,包括对划片后的半成品太阳电池进行以下步骤:a.GaInP子电池边缘湿法腐蚀钝化;b.Cap层腐蚀及GaInAs子电池边缘湿法腐蚀钝化;c.蒸镀减反射膜同时对太阳电池的侧...
许军铁剑锐韩志刚陈洁
文献传递
边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究被引量:1
2020年
介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池效率。
许军铁剑锐赵拓韩志刚
关键词:湿法刻蚀套刻
一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺
本发明公开了一种GaInP/GaInAs/Ge太阳电池一次湿法台阶刻蚀工艺,属于太阳电池技术领域,包括:S1、对晶圆进行预烘;S2、在晶圆表面涂覆用于图形转移的光刻胶;S3、对晶圆进行前烘处理;S4、对晶圆进行曝光,将掩...
许军铁剑锐韩志刚赵拓
文献传递
含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量:2
2014年
通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计。采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36%。
高伟高慧许军张宝刘长喜王保民穆杰
关键词:布拉格反射器太阳电池中心波长反射率
共2页<12>
聚类工具0