蔡力
- 作品数：4 被引量：22H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测被引量：10
- 2002年
- 报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻
- 李奇峰朱世富赵北君蔡力高德友金应荣
- 关键词：单晶生长碲锌镉晶体
- gGaS_2单晶生长与完整性研究被引量：8
- 2001年
- 采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。
- 朱兴华赵北君朱世富于丰亮邵双运宋芳高德友蔡力
- 关键词：AGGAS2多晶合成单晶生长
- 利用改进的气相法生长CdSe单晶体的研究被引量：1
- 2001年
- 作者分析了以富Cd的CdSe多晶为原料生长高电阻率CdSe单晶体的可能性 ,并采用改进的垂直气相无子晶法 ,生长出了电阻率为 1 0 7Ω·cm、位错密度 1 0 4 cm- 2 且尺寸为 1 0mm× 30mm的富Cd的CdSe单晶体 .
- 邵双运朱世富赵北君金应荣宋芳高德友蔡力李正辉
- 关键词：CDSE单晶体电阻率
- 对红外非线光学材料硫镓银(AgGaS_2)晶体形貌的观察研究被引量：3
- 2001年
- 用改进的Bridgman法 ,生长出了 1 5mm× 2 0mm的红外非线性光学晶体硫镓银 .采用蚀象法 ,观察了该晶体腐蚀条纹 ,其结果与现有报道结果一致 .通过实验 ,观察到了规则整齐的蚀坑 ,并对其内部形貌进行了初步研究 .
- 于丰亮赵北君朱世富朱兴华李正辉高德友蔡力
