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肖波齐: 作品数：40 被引量：40H指数：4; 供职机构：三明学院机电工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金福建省省属高校科研专项基金福建省自然科学基金更多>>; 相关领域：理学动力工程及工程热物理自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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一种嵌入式电子贾卡梳: 本发明公开了一种嵌入式电子贾卡梳，配套经编机用于生产提花织物，包括MCU、花型数据存储器、同步传感器、贾卡驱动电路、升压电路、通信接口以及贾卡导纱针块。当根据工艺要求经编机需安装多个嵌入式电子贾卡梳时，上位工控机通过通信...; 任雯赖森财肖波齐

池沸腾传热的数学分析被引量：2: 2009年; 在统计方法的基础上,对于池沸腾换热的传热机理提出了一个数学模型.在没有增加新的经验常数的条件下,从该模型中可得到池沸腾热流密度是壁面过热度、活化穴最小与最大尺寸、流体的接触角与流体物理特性的函数.该模型可以较好地解释润湿性如何影响沸腾热流密度.对不同的接触角,模型预测的结果与实验相符合.; 肖波齐王宗篪蒋国平陈玲霞魏茂金饶连周; 关键词：池沸腾传热数学模型

小位移条件下混沌隔振装置的设计与研究被引量：1: 2012年; 本文根据混沌隔振原理,设计出小位移下的混沌隔振装置,该装置能够在小位移下产生强非线性,并且其线性部分与非线性部分完全区分开,实验中易于调节其整体刚度,以及线性和非线性项比例,大大增加了该装置在工程中的应用前景.并利用数值计算方法对特定参数下的隔振装置在简谐激励力作用下的运动进行分析,证实了该混沌隔振装置的可行性.; 蒋国平陶为俊浣石肖波齐; 关键词：非线性隔振混沌线谱

CaMn_7O_(12)块材的烧结与薄膜制备探究: 2016年; 利用固相烧结法制备了多铁性材料CaMn_7O_(12)多晶块材,断面扫描电子显微镜(SEM)形貌图显示样品的结构致密.以CaMn_7O_(12)多晶块材为靶材,利用磁控溅射方法在Sr Ti O3(STO)基片上制备CaMn_7O_(12)薄膜,XRD的θ-2θ扫描说明在STO(001)和STO(111)基片分别得到了CaMn_7O_(12)(003)薄膜和CaMn_7O_(12)(600)薄膜.原子力显微镜(AFM)扫描的薄膜表面形貌清晰,结合薄膜生长的晶格匹配度,分析CaMn_7O_(12)(003)薄膜和CaMn_7O_(12)(600)薄膜的生长.; 黄思俞王宗篪肖波齐; 关键词：薄膜生长薄膜形貌

半导体热敏电阻温度特性的计算机仿真被引量：1: 2010年; 应用计算机进行了半导体热敏电阻温度特性仿真实验,对负温度系数热敏电阻的规律进行了定量分析,得到了其温度特性函数的表达式,给出了热敏电阻的温度特性曲线图,通过仿真实验可以验证半导体热敏电阻的电阻-温度关系是非线性的指数关系.; 龙耀球蒋国平肖波齐肖培英; 关键词：热敏电阻温度特性计算机仿真

半导体温度计的计算机仿真被引量：1: 2009年; 根据半导体热敏电阻与温度的关系,利用计算机进行仿真半导体温度计的实验,得到了半导体温度计温度—电流曲线。; 肖波齐; 关键词：半导体温度计计算机仿真

初级气体炮靶板: 本实用新型公开了一种用于材料的力学性能测试的初级气体炮靶板，它包括横截面为环形的炮管保护件和横截面为环形的材料固定件，所述的材料固定件同轴叠加固定在炮管保护件上，炮管保护件安装在炮管口上；所述材料固定件的环形端面上，均布...; 肖波齐; 文献传递

过冷流动沸腾的分形分析: 对于过冷流动沸腾的传热机理,本文提出了分型模型。根据加热表面活化穴的分形分布得到了过冷流动沸腾热流密度的表达式,从该模型中发现过冷流动沸腾热流密度是壁面过热度、流体的过冷度、流体的主流速度、流体的接触角与流体物理特性的函...; 肖波齐王宗篪陈玲霞; 关键词：传热机理热流密度; 文献传递

不同形态磁性材料磁滞回线测量仪的研制: 2014年; 为了实现在实验室测量磁性膜、条带或丝等多种形态磁性材料的磁滞回线,设计并研制了磁滞回线测量仪。该测量仪的磁感应强度探测器采用双线圈反相连接的设计,磁性材料的样品可以放于任一个探测线圈中,样品的更换方便、快捷。该测量仪通过调试后,对钴基非晶条带和铁基纳米晶条带等多个样品测量出了分辨率高且图形清晰的磁滞回线。; 王宗篪林博强黄思俞肖波齐; 关键词：磁滞回线铁磁材料

应变纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O柱形量子点中离子施主束缚激子的光吸收系数:Mg含量和杂质位置的影响: 2017年; 在有效质量近似和偶极矩近似下,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,采用变分法详细研究了势垒中Mg含量和离子施主杂质中心位置对受限于纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O圆柱形应变量子点中离子施主束缚激子(D+,X)体系的带间光跃迁吸收系数的影响。计算结果表明:当垒中Mg含量x<0.25时,随着Mg含量的增加,(D^+,X)体系的光跃迁吸收峰向高能方向移动,出现蓝移现象;而当x>0.25时,随着Mg含量的增加,吸收曲线向低能方向移动,出现红移现象。(D^+,X)体系的带间光跃迁吸收峰强度随着Mg含量的增加而减弱。随着离子施主杂质从量子点左边界沿材料生长方向移至量子点右边界时,光跃迁吸收峰发生蓝移。当在量子点中心左侧沿径向移动离子施主杂质时,光跃迁吸收峰向高能方向移动,发生蓝移现象;而当在量子点中心右侧沿径向移动离子施主杂质时,吸收曲线发生红移现象,但离子施主杂质的掺入位置对光跃迁吸收峰强度影响不明显。; 郑冬梅肖波齐黄思俞王宗篪; 关键词：量子点