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肖剑荣

作品数：89 被引量：123H指数：5
供职机构：桂林理工大学更多>>
发文基金：广西高等教育教学改革工程项目广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 23篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 19篇理学
  • 16篇一般工业技术
  • 12篇文化科学
  • 8篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 12篇教学
  • 11篇射频功率
  • 10篇介电
  • 10篇介电常数
  • 10篇光学
  • 9篇大学物理
  • 9篇溅射
  • 8篇带隙
  • 8篇退火
  • 8篇光学带隙
  • 8篇掺杂
  • 8篇F
  • 7篇PECVD
  • 6篇纳米
  • 6篇课程
  • 6篇非晶
  • 5篇低介电常数
  • 5篇应用物理
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积

机构

  • 54篇桂林理工大学
  • 28篇中南大学
  • 6篇桂林工学院
  • 4篇上海理工大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇湖南涉外经济...

作者

  • 85篇肖剑荣
  • 19篇李新宇
  • 15篇徐慧
  • 14篇刘雄飞
  • 14篇李明
  • 11篇王恒
  • 11篇蒋爱华
  • 9篇王志勇
  • 8篇马松山
  • 8篇唐涛
  • 8篇文剑锋
  • 8篇李明
  • 7篇李幼真
  • 7篇曾亚萍
  • 7篇王柳
  • 6篇程勇
  • 5篇王焕友
  • 5篇张云芳
  • 5篇骆毅
  • 4篇简献忠

传媒

  • 7篇真空科学与技...
  • 6篇物理学报
  • 5篇真空
  • 4篇材料导报
  • 4篇电子元件与材...
  • 4篇大学教育
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇微细加工技术
  • 2篇中南大学学报...
  • 2篇陕西教育（高...
  • 2篇桂林理工大学...
  • 2篇教育教学论坛
  • 1篇黑龙江教育（...
  • 1篇绝缘材料
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇高校实验室工...
  • 1篇长江大学学报...
  • 1篇黑龙江教育（...
  • 1篇科学大众（智...

年份

  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 10篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
共 89 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多孔Cu-SiC复合膜及其制备方法
本发明属于金属复合材料及其制备技术领域，提供了一种多孔Cu‑SiC复合膜及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、准备基片；S2、安装靶位；S3、制备Cu<Sub>3</Sub>N‑SiC复合膜；S4、制备多孔Cu‑S...
肖剑荣
无序材料直流电导中的无序作用机理
2006年
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。
马松山徐慧刘小良肖剑荣
双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用
本发明涉及钠离子电池电极材料的制备技术领域，具体涉及双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用。本发明使用静电纺丝的多孔碳纤维封装双金属离子，经过退火和硫化处理得到双金属硫化物@多孔碳纤维复合材料...
曾亚萍张旗王柳肖剑荣王恒
文献传递
含氟无定形碳膜的PECVD制备及结构和性能研究
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法,以CF<,4>和CH<,4>为反应气体,Ar或N<,2>为工作气体,制备了在不同工艺参量下的a-C:F:H膜,并对薄膜进行了退火处理;利用SEM、AFM、FTIR、XRD、Elli...
肖剑荣
关键词：PECVD介电常数光学带隙
文献传递
一种碳纤维表面射频磁控溅射制备SiC涂层的方法
本发明公开了一种碳纤维表面射频磁控溅射制备SiC涂层的方法。采用射频磁控溅射方法制备：（1）将碳纤维表面高温（500-700℃）去胶，放在无水丙酮中超声震荡；（2）将真空室安装纯度大于95%的SiC靶材或者分析纯Si靶加...
程勇肖剑荣李明马家锋
文献传递
氟化非晶碳膜的微结构分析被引量：1
2009年
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。
蒋爱华肖剑荣
关键词：氟化非晶碳薄膜PECVD微结构沉积温度
氮化铜薄膜的研究被引量：3
2009年
氮化铜(Cu3N)薄膜是一种新型的电、光学材料,它具有典型的反三氧化铼结构,由于Cu原子没有很好地占据(111)晶格面的紧密位置,在薄膜中掺杂之后,薄膜的电、光学性质会发生显著变化。Cu3N在较低温度下会分解为Cu和N2。介绍了Cu3N的制备方法,总结了该膜制备方法和工艺参数对薄膜结构的影响,分析了在不同N2分压下薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长和薄膜定向生长的原因,讨论了薄膜的电学、光学、热学等物理性质及其在相关方面的应用,并对该膜的物理性质与结构之间的关系作了简要分析。
肖剑荣蒋爱华
关键词：光学带隙热稳定性磁控溅射
功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响
2006年
分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜表面形貌,发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少;在低温下沉积的薄膜表面光滑,而高温下粗糙;真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善,但薄膜内空洞增加,退火温度过高,薄膜的结构发生变化,且在薄膜表面发生皲裂现象。用R am an光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。
肖剑荣徐慧刘雄飞马松山
关键词：表面形貌射频功率沉积温度真空退火
a-C:F薄膜的工艺及热稳定性研究被引量：4
2004年
以CF4和CH4为源气体,用PECVD法制备了不同沉积条件下的a C:F薄膜,测量了薄膜的厚度,研究了薄膜沉积速率和沉积工艺的关系,用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析了薄膜的化学键结构,用扫描电镜和原子力显微镜分析了薄膜表面形貌,对薄膜在真空中进行了退火,研究了薄膜的热稳定性。实验表明,沉积速率在5～8nm/min之间,薄膜表面平整、致密,在300℃内有较好的热稳定性。
李幼真刘雄飞肖剑荣张云芳
关键词：PECVD沉积速率表面形貌
复合正极材料xLiFePO_4·yLi_3V_2(PO_4)_3/C的合成及其电化学性能被引量：2
2015年
以聚吡咯(PVP K60)为表面活性剂和碳源,采用流变相法合成了x Li Fe PO4·y Li3V2(PO4)3/C正极材料样品。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品形貌和结构进行了测试;采用电池测试仪和电化学工作站对样品电化学性能进行了测试,分析了不同复合比(x:y)对其结构和电化学性能的影响。研究表明:复合材料中存在两相复合与元素掺杂两种效应;当复合比为5∶1时材料的电化学性能最优,在0.1和10 C倍率下放电容量分别达到162.7和104.6 m Ah·g-1,且具有良好的循环稳定性。
蒋皓宇肖剑荣赵航
关键词：流变相法电化学性能
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