白旭旭
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价被引量：1
- 2007年
- 采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量，结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构，半峰宽为47．2arcsec，结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷，包括位错，Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜，扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明，晶体中位错密度在10^5～10^6cm^-2之间。晶体局部存在％夹杂相，尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。
- 杨波介万奇张继军白旭旭
- 关键词：X射线粉末衍射位错孪晶
- 退火对Al/CdZnTe肖特基接触特性的影响
- 2010年
- 在CdZnTe表面采用真空蒸镀制备了Au和Al电极,研究了在N_2氛围退火对Al/CdZnTe接触特性的影响。退火温度在100℃到300℃之间变化,退火时间为5 min。采用Agilent4155c半导体测试仪测试了样品在不同温度退火后的I-V特性。采用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪测试了样品在不同温度退火后的C-V特性。I-V和C-V曲线表明,低温退火会使接触势垒高度增加,理想因子趋近于1,电容值下降为退火前的一半左右。当退火温度高于250℃时,接触势垒高度下降,理想因子偏离1,电容值下降近一个数量级。
- 白旭旭介万奇查钢强王涛傅莉
- 关键词：肖特基
- ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)被引量：2
- 2012年
- 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。
- 杜园园介万奇郑昕王涛白旭旭于晖
- 关键词：CDMNTE孪晶
- 热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)被引量：1
- 2012年
- 熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。
- 南瑞华介万奇查钢强白旭旭王蓓于晖
- 关键词：陷获深能级
- 室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
- Cd1-xZnxTe(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。然而,由于CZT晶体生长过程中Cd元素的...
- 王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
- 文献传递
- 室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备被引量：7
- 2010年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对241Amγ能谱的分辨率达到4.7%,对137Cs能谱的分辨率为4.2%。采用Hecht公式对探测器收集效率与偏压的关系进行了拟合,得到电子的迁移率与寿命乘积值达到2.3×10-3cm2/V。
- 王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
- 关键词：碲锌镉
