王琰
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途
- 本发明涉及一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，其核心膜层从下至上包括以下五层：第一磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性金属层、第二隧道势垒层以及第二磁性层。本发明提供的具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，通过改进原有...
- 王琰卢仲毅张晓光韩秀峰
- 文献传递
- 一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途
- 本发明涉及一种单晶NaCl势垒磁性隧道结，其包括的核心膜层中的隧道结势垒层为NaCl(001)单晶绝缘材料组成。该隧道结可以是单势垒的，也可以是双势垒的。本发明提供的单晶NaCl(001)磁性隧道结可以应用于新型自旋电子...
- 王琰韩秀峰张晓光
- 文献传递
- MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究被引量：3
- 2009年
- 在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。
- 王琰张佳张晓光王守国韩秀峰
- 关键词：自旋电子学第一性原理计算
- 双势垒磁性隧道结中量子阱共振隧穿效应的第一性原理理论
- 2007年
- 磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值.文章介绍了最近在Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作.通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中间Fe薄膜孤岛结构所导致Coulomb阻塞效应的分析,证实了最近Nozaki等人(NozakiTetal.Phys.Rev.Lett.,2006,96:027208)实验中得到的振荡效应确实来源于中间Fe层多数自旋电子在Γ点处形成的Δ1对称性的量子阱态.Coulomb阻塞效应的存在正是导致实验中低温下量子阱共振隧穿效应不够明显的主要原因.
- 王琰韩秀峰卢仲毅张晓光
- 关键词：共振隧穿第一性原理计算
- 高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究
- 2018年
- 1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿磁电阻(TMR)效应提高至~20%,达到了可实用化程度,并在2004年进一步将MgO势垒磁性隧道结的室温TMR比值提高至TMR^200%左右,大大促进了TMR器件的广泛开发和应用.迄今为止,计算机TMR磁读头使得磁硬盘(HDD)磁记录密度达到了~1000 Gb/in2的量级;每年产值300~400亿美元的磁硬盘(HDD)市场已持续发展了20年.GMR和TMR磁读头本身就是两种有相对高灵敏度和低噪声磁敏传感器,并且已经在计算机和各种磁传感工业、民用、航空航天等领域大规模成功应用了20年.
- 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰
- 关键词：隧穿磁电阻磁敏传感器磁性隧道结芯片
- 纳米环磁性隧道结及新型纳米环磁随机存取存储器的基础研究
- 韩秀峰魏红祥温振超刘厚方詹文山刘东屏曾中明丰家峰王琰王守国彭子龙杨捍东孙志斌王天兴杜关祥
- 该成果属于新兴学科自旋电子学研究领域。以图型化磁性隧道结、特别是纳米环磁性隧道结(MTJ)的微纳加工制备为核心，开展了相应的材料、物理和器件研究，取得了一系列原创性成果，主要包括：1．率先制备出外直径为100nm、环宽2...
- 关键词：
- 关键词：随机存储器
- 高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用基础研究
- 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰
- 近年来，随着物联网、智能电网和人工智能的快速发展，国内传感器产业将迎来一个黄金时期。基于隧穿磁电阻(TMR)效应的新型磁敏传感器，由于其高性能、高可靠、低功耗和微型化等优点，在高端应用领域正逐步取代传统的低灵敏度磁性传感...
- 关键词：
- 关键词：磁敏传感器磁性纳米线芯片设计
- 一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途
- 本发明涉及一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，其核心膜层从下至上包括以下五层：第一磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性金属层、第二隧道势垒层以及第二磁性层。本发明提供的具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，通过改进原有...
- 王琰卢仲毅张晓光韩秀峰
- 文献传递
- 一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途
- 本发明涉及一种单晶NaCl势垒磁性隧道结，其包括的核心膜层中的隧道结势垒层为NaCl(001)单晶绝缘材料组成。该隧道结可以是单势垒的，也可以是双势垒的。本发明提供的单晶NaCl(001)磁性隧道结可以应用于新型自旋电子...
- 王琰韩秀峰张晓光
- 文献传递
- MgO势垒单晶磁性隧道结的第一性原理计算研究
- 自旋电子学及其磁电阻材料的物理性质和器件应用，一直是当前国际上凝聚态物理学的研究前沿热点之一，2007年诺贝尔物理学奖就颁发给巨磁电阻效应的发现者。最近在MgO势垒单晶磁性隧道结中发现的高室温隧穿磁电阻现象，是近些年自旋...
- 王琰
- 关键词：自旋电子学磁性隧道结隧穿磁电阻第一性原理计算
