王宁娟
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究
- 本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件...
- 王宁娟刘忠立李宁于芳李国花
- 关键词：总剂量辐射电学性能
- 文献传递
- 全耗尽SOI MOSFET的制作及其辐射加固的研究
- 全耗尽SOI器件除了具有SOI器件工作速度快，功耗低，集成密度高，能抑制短沟道和闩锁效应等优点，还有很好的抗击单粒子和剂量率的能力，在航天、军事等对辐射有较高要求的领域有着广泛的应用。然而，由于全耗尽器件的前栅晶体管和背...
- 王宁娟
- 两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响
- 采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOI MOSFET器件通常都会出现边缘效应,即会出现亚阈值斜率的"隆起"(HUMP)效应。针对产生边缘效应产生的不同原因,我们分别采取了圆角化工艺和类BTS结构来改进辐照前...
- 王宁娟刘忠立李宁刘芳李国花
- 关键词：全耗尽辐照
- 文献传递
- 注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)
- 2007年
- 本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要。
- 王宁娟刘忠立李宁张国强于芳郑中山李国花
- 关键词：SOIMOSFET离子注入
- 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1
- 2011年
- 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因.
- 唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝
- 关键词：注氧隔离注氮
- 不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1
- 2007年
- 研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.
- 王宁娟刘忠立李宁于芳李国花
- 关键词：SOI全耗尽总剂量辐射
