王义元
- 作品数：37 被引量：78H指数：7
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程航空宇航科学技术更多>>
- 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
- 2011年
- 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云
- 关键词：NPN双极晶体管偏置
- PNP输入双极运算放大器的辐射效应被引量：1
- 2012年
- 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：低剂量率偏置
- 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
- 2011年
- 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究AlteraSRAM型FPGA器件^(60)Coγ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.
- 高博余学峰任迪远李豫东崔江维李茂顺李明王义元
- 10位双极数模转换器的电离辐射效应
- 本文研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置条件和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较...
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博李鹏伟于跃
- 关键词：ELDRS偏置条件
- 文献传递
- 不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究
- 本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现,不同电子通量下辐照到相同电子注量,对NPN晶体管造成的辐照损伤不同。低电子通量辐射下,晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果,这与Coγ辐射下的低剂量率辐射...
- 郑玉展陆妩任迪远郭旗余学锋吕晓龙王义元
- 关键词：电子辐照NPN晶体管辐照损伤
- 文献传递
- 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应被引量：1
- 2011年
- 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博陈睿费武雄
- 关键词：电离辐射电流反馈运算放大器偏置
- 12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应被引量：2
- 2008年
- 通过对12位双极数模转换器在60Coγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应。结合辐射响应测试过程和空间电荷模型,对其损伤模块和辐射损伤机理进行初步探讨。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博李鹏伟于跃
- 关键词：数模转换器ELDRS
- 国产10位D/A转换器不同剂量率的电离效应
- 对国产双极D/A转换器在不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示:D/A转换器对辐照剂量率的变化较为敏感:在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率辐照下,各参数变化显著,参数功...
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博李鹏伟于跃
- 关键词：电离辐射ELDRS
- 文献传递
- 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应被引量：3
- 2012年
- 对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。
- 陆妩任迪远郑玉展王义元郭旗余学峰何承发
- 关键词：剂量率效应
- 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应被引量：3
- 2010年
- 对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
- 陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博崔江维
- 关键词：模数转换器偏置条件
