江锦春
- 作品数：48 被引量：90H指数：6
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种高线性度的导电涂层海绵压阻传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种高线性度的导电涂层海绵压阻传感器的制备方法。该传感器的制备过程包括：将聚合物海绵清洗干燥后浸入到聚氧化乙烯‑锂盐的水溶液中，挤出海绵内的多余溶液并干燥，通过导电银浆的涂覆和柔性电极的黏附完成传感器的组装，...
- 沈俊浩左少华石富文江锦春
- 一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法
- 一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法属于无机非金属材料领域。其主要内容是利用氢氧化锌作前驱物，用氨水作矿化剂，在高压釜中加热来生长氧化锌晶体。加热方式可以是微波加热，也可以是电阻丝加热；长出的晶体可以是氧化锌纳米纤维，也可...
- 江锦春沈德忠
- 文献传递
- 低温制备富溴全无机钙钛矿薄膜及其太阳能电池器件
- 全无机卤化物钙钛矿CsPbI薄膜和其太阳能电池器件具有的良好的热稳定性和优异的光电性能,但其较小的容忍因子使CsPbI在室温下的相稳定性极差。而富溴全无机钙钛矿CsPbIBr薄膜在室温下具有良好的相稳定性和水氧稳定性。针...
- 郭一欣赵飞陶加华江锦春褚君浩
- 关键词：稳定性
- 文献传递
- 一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法
- 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四...
- 陶加华胡小波洪进江锦春越方禹陈少强敬承斌杨平雄褚君浩
- 一种制备铜锡硫薄膜太阳能电池吸收层的方法
- 本发明公开了一种制备铜锡硫薄膜太阳能电池吸收层方法，该方法将高纯度的水溶性金属盐和硫源溶于去离子水中，分别放在不同的超声雾化罐中，通过一步超声雾化热解结合原位退火法，无需后续硫化就可以得到高质量的太阳能电池吸收层薄膜。本...
- 郭一欣江锦春程文娟石富文左少华褚君浩
- 文献传递
- 微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜被引量：4
- 2004年
- 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β
- 江锦春程文娟张阳朱鹤孙沈德忠
- 关键词：晶体薄膜衬底温度微波等离子体化学气相沉积喇曼光谱晶相
- 高效率晶硅与砷化镓太阳电池关键技术研发与产业化
- 陈少强王伟明张映斌褚君浩胡小波陶加华陈奕峰朱自强杨平雄徐建美李华江锦春左少华石富文
- 该项目以高效率太阳能电池关键技术研发与产业化为主要目标，解决了常规太阳电池检测技术中无法直接获取电池尤其是多结电池内部与局部详细信息的关键科学问题，开发出太阳电池绝对值电致发光(EL)效率与成像检测分析技术，获得三结砷化...
- 关键词：
- 关键词：图像检测技术
- 一种呼出气冷凝液收集装置
- 本发明公开了一种呼出气冷凝液收集装置，包括壳体、呼出气通路、制冷单元、冷凝收集单元及控制单元；本发明采用单片机控制半导体制冷片与散热风扇结合的制冷方式，由半导体制冷片将冷能通过金属弹性卡扣传导至冷凝盒，对冷凝盒制冷，通过...
- 沈俊浩石富文左少华江锦春张傲刘文远
- 文献传递
- 一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置
- 本发明公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖...
- 褚君浩孙雷马建华姚娘娟江锦春
- Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜在铁电相变点的折射率异常被引量：1
- 2002年
- 对在 8 0～ 30 0K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x =0 0 6 )薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率 .研究发现 :在其铁电相变温度 15 0K折射率出现极大值 .折射率的极大值是晶体电容率异常的标志 ,而晶体电容率异常正是晶体相变具有铁电性的反映 ,因此同电阻和比热一样 ,折射率在铁电相变点也出现了异常 .在所研究的光谱及温度范围 ,折射率与材料的禁带宽度不遵循Moss定则等经验公式 .
- 李斌江锦春张素英张凤山
- 关键词：折射率铁电相变禁带宽度
