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梅菲

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇晶体
  • 4篇衬底
  • 3篇纳米阵列
  • 3篇金属
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GAN
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光二极...
  • 2篇氧化铟
  • 2篇有序度
  • 2篇乳液
  • 2篇透明电极
  • 2篇外延层
  • 2篇离子注入
  • 2篇晶格
  • 2篇晶体质量
  • 2篇绝缘

机构

  • 13篇武汉大学

作者

  • 13篇梅菲
  • 7篇刘昌
  • 4篇任峰
  • 4篇肖湘衡
  • 4篇蒋昌忠
  • 3篇戴志高
  • 2篇张蕾
  • 2篇吴伟
  • 2篇赵新月
  • 2篇刘福庆
  • 1篇韩林
  • 1篇李文庆
  • 1篇彭挺
  • 1篇王颖

传媒

  • 2篇第二届中国可...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电致发光二极管的制备方法
本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极后形成电致发光二极管。该电致发光二极管在施加一定的驱动电压时，从反向...
刘昌张蕾梅菲刘福庆
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GaN基绝缘衬底制备及外延生长AlGaN/GaN高迁移率晶体管
梅菲
关键词：MBEGAN超晶格
一种电致发光二极管的制备方法
本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入...
刘昌张蕾梅菲刘福庆
文献传递
一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法
本发明提供了一种高晶体质量的GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，该方法是以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、SiC或Si为衬底，在衬底经高温氮化后，依次于750～780℃下高温生长AlN成核层，于7...
刘昌梅菲
文献传递
分子束外延生长AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管
Ⅲ族氮化物材料不仅在光电子领域得到迅猛发展,而且在制备高温、大功率微波电子器件方面也显示了优异性能。GaN、AlN及其三元合金材料AlGaN具有禁带宽、电子漂移速率高、击穿电场强、热导率高、不易热分解、耐腐蚀、抗辐照等特...
梅菲彭挺刘昌
关键词：分子束外延GAN调制掺杂二维电子气
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一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法
本发明公开了一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法，属于纳米材料领域。一种二元有序胶体晶体的制法为：将粒径不同的聚苯乙烯纳米微球的乳液混合均匀，形成混合乳液加入无水乙醇，混合均匀，形成混合溶液；将混合溶液引流至去...
肖湘衡郑俊丰戴志高梅菲吴伟赵新月任峰蒋昌忠
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稀土离子注入GaN的共聚焦显微拉曼光谱研究
将稀土离子Eu,Eu,Tm和Eu+Er+Tm分别注入到分子束外延生长的GaN外延片中(每种元素注入剂量均为1×1014 cm-2).共聚焦显微拉曼(Micro-Raman)谱显示,与未注入的GaN相比,注入后的样品在30...
王颖梅菲刘昌
关键词：离子注入分子束外延
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贵金属纳米颗粒阵列的制备方法
本发明提供了一种可制备出大小、形状和材料种类可调节的纳米颗粒阵列的方法，该方法先利用聚苯乙烯胶体球间的自组装，在衬底上制备出单一粒径的二维单层的六角密排结构模板，此后在上述模板上沉积贵金属薄膜，经有机溶剂超声除去胶体球掩...
肖湘衡梅菲任峰蒋昌忠
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论我国海洋生物多样性保护之法律机制的完善
梅菲
关键词：法律机制
ZnO薄膜的激光脉冲沉积制备及Cr+注入后的微结构
采用脉冲激光蒸发沉积法(PLD)在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,随后用能量为150 keV,剂量为5×1015 cm-1的Cr+注入薄膜.利用卢瑟福背散射方法(RBS)分析注入离子组分;用原子力显微镜研究薄膜表面形貌...
韩林梅菲刘昌
关键词：ZNO离子注入
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共2页<12>
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