梁建
- 作品数：154 被引量：250H指数：7
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种氧化锌空心四足晶须束的制取方法
- 本发明为一种氧化锌空心四足晶须束的制取方法，它是以氧化锌、炭粉为原料、聚乙烯醇为粘合剂、蒸馏水为溶剂，通过研磨、过筛、烘干、混合搅拌、配制粘稠溶液、压制圆环坯、高温烧结、冷却、检测分析、包装储存，获取高纯度的氧化锌空心四...
- 许并社梁建刘旭光马淑芳贾虎生梁伟
- 文献传递
- 光子晶体提高GaN基LED出光效率的研究进展被引量：4
- 2010年
- 光子晶体作为有效提高LED出光效率的手段之一,在过去的十多年受到了广泛的关注。简述了光子晶体提高LED出光效率的物理原理。从GaN基LED不同光子晶体的结构、晶格常数和高度等参数的影响出发,通过几种新型光子晶体发光二级管的介绍,总结了近年来利用光子晶体提高LED出光效率所取得的研究进展。
- 李天保梁建许并社
- 关键词：光子晶体GAN发光二极管
- GaN纳米棒的合成与表征
- 2007年
- 利用化学气相沉淀法（CVD）以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm，长度在2-10μm，表面比较光滑,利用场发射扫描电镜（FESEM），X射线衍射仪（XRD），能量散射谱（EDS）对样品进行了成分和结构分析，表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构，同时对其生长机理进行了探讨。
- 王连红梁建马淑芳万正国许并社
- 关键词：氮化镓纳米棒催化剂
- Zn掺杂之字形GaN纳米管的制备及性能表征
- 分别以氧化镓、氧化锌和氨气作为镓源、锌源和氮源,通过化学气相沉积法在喷金的Si（100）衬底上生长Zn掺杂之字形GaN纳米管。以场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、光致发光仪（PL）等测试方法对其成分...
- 王晓宁梁建赵君芙张华马淑芳许并社
- 关键词：氮化镓纳米管
- 文献传递
- 边发射激光器光束整形结构及激光器芯片
- 本实用新型边发射激光器光束整形结构及激光器芯片，属于半导体材料技术领域；提供了一种提高了激光光斑的功率密度、减少了光束发散角的边发射激光器光束整形结构及激光器芯片；技术方案为：边发射激光器光束整形结构为梯形台，梯形台凹陷...
- 董海亮许并社贾志刚张爱琴屈凯李天保梁建
- 文献传递
- GaN薄膜制备技术的研究进展被引量：2
- 2010年
- 综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的研究进展,并重点介绍了其发展历程、所使用的设备和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的发展前景。
- 赵丹梁建赵君芙马淑芳张华许并社
- 关键词：GAN薄膜
- CdSe薄膜的制备及性能表征被引量：18
- 2011年
- 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
- 黄平李婧梁建赵君芙马淑芳许并社
- 关键词：电化学沉积CDSE薄膜禁带宽度沉积电压
- 微波辅助溶剂热法制备星形结构PbS
- 本研究采用微波辅助溶剂热法，以乙酸铅和硫脲分别为铅源和硫源，用二甲基亚砜作溶剂，在保持加热功率不变的情况下，通过改变表面活性剂CTAB的加入量和加热反应时间，制备出星形结构PbS。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射电子扫...
- 危兆玲李天保赵君芙梁建马淑芳许并社
- 关键词：硫化铅半导体材料
- GaOOH和Ga_2O_3的制备及光学性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体。通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理。结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响。然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和900℃的空气中煅烧转化成了α-Ga2O3和β-Ga2O3。煅烧后的产物具有良好的形貌继承性。荧光光谱测试(λex=250 nm)结果显示,pH值为5时制备的GaOOH和Ga2O3的发射峰位于415 nm和465 nm,而在pH值为3和8时的发射峰均位于370 nm和465 nm。
- 梁建王晓斌张艳董海亮刘海瑞许并社
- 关键词：GA2O3水热法光致发光
- InAs纳米颗粒的制备及性能表征被引量：2
- 2010年
- 以InCl3.4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺为原料,采用溶剂热-退火法制备出了InAs纳米颗粒。用XRD、TEM和拉曼光谱仪对产物的微观结构进行表征。研究了反应物的配比和退火温度对产物的物相和形貌的影响,得到制备InAs纳米颗粒的最佳工艺参数为:反应物As2O3、InCl3.4H2O的物质的量配比为1:1,反应与退火温度分别为160℃和500℃。并对产物的形成过程进行了初步探讨。
- 梁建王玉赵君芙马淑芳
- 关键词：三乙醇胺
