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林殷茵

作品数：301 被引量：153H指数：6
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 232篇专利
  • 62篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 52篇电子电信
  • 50篇自动化与计算...
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 206篇存储器
  • 62篇电阻
  • 60篇电路
  • 45篇随机存储器
  • 41篇功耗
  • 40篇集成电路
  • 27篇低功耗
  • 27篇微电子
  • 26篇电极
  • 26篇相变存储
  • 24篇动态随机存储...
  • 24篇刷新
  • 24篇写操作
  • 22篇相变存储器
  • 22篇SUB
  • 21篇金属
  • 20篇存储阵列
  • 19篇互连
  • 18篇铜互连
  • 17篇铁电

机构

  • 292篇复旦大学
  • 20篇华为技术有限...
  • 12篇硅存储技术公...
  • 11篇西安交通大学
  • 4篇上海交通大学
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 301篇林殷茵
  • 34篇薛晓勇
  • 33篇汤庭鳌
  • 33篇解玉凤
  • 25篇吕杭炳
  • 25篇张佶
  • 25篇陈邦明
  • 24篇吴雨欣
  • 22篇金钢
  • 22篇孟超
  • 19篇尹明
  • 17篇程宽
  • 17篇王明
  • 17篇唐立
  • 17篇李慧
  • 15篇刘易
  • 14篇宋雅丽
  • 13篇周鹏
  • 11篇董存霖
  • 10篇徐乐

传媒

  • 19篇复旦学报（自...
  • 12篇半导体技术
  • 12篇固体电子学研...
  • 5篇功能材料
  • 4篇Journa...
  • 3篇压电与声光
  • 2篇物理学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第八届敏感元...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 8篇2018
  • 15篇2017
  • 29篇2016
  • 16篇2015
  • 15篇2014
  • 39篇2013
  • 24篇2012
  • 30篇2011
  • 26篇2010
  • 12篇2009
  • 23篇2008
  • 6篇2007
  • 13篇2006
  • 5篇2005
  • 4篇2004
共 301 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y...
林殷茵田晓鹏
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一种WOx基电阻型存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是...
林殷茵周鹏吕杭炳
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以比值为状态导向的存储方式及电路
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及...
林殷茵洪洋汤庭鳌陈邦明
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可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法
本发明属于非易失性存储器技术领域，提供了一种可降低写操作电压的非易失性存储元件及制造方法。本发明的非易失性存储元件，包括：倒锥状第一电极；存储介质层，其包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分贴附在倒锥状第一电极的外侧面...
林殷茵刘佩
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以比值为状态导向的存储方式及电路
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及...
林殷茵洪洋汤庭鳌陈邦明
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氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种氧化锰基电阻型存储器与铜互连后端工艺集成的方法。该工艺集成的方法中，采用对铜引线上的盖帽层中的锰金属先硅化形成MnSi化合物层、在对该MnSi化合物层氧化以形成MnSi<Sub>...
林殷茵田晓鹏
集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法
本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...
林殷茵刘易
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降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法
本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去...
林殷茵金钢
一种CuxO基电阻型存储器的制备方法
一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在C...
林殷茵吕杭炳周鹏王明
一次可编程存储单元、存储器及其制备方法
本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物...
林殷茵王明
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