您的位置： 专家智库 > >

杨志雄

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：中南大学博士后科学基金中国博士后科学基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构
  • 1篇修饰
  • 1篇子结构
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带
  • 1篇二硫化钼
  • 1篇扶手椅

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇刘琦
  • 1篇熊翔
  • 1篇谢禹鑫
  • 1篇杨志雄
  • 1篇欧阳方平
  • 1篇杨金新

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
扶手椅型二硫化钼纳米带的电子结构与边缘修饰被引量：2
2013年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了扶手椅型二硫化钼纳米带的几何构型与电子结构,发现其稳定性与电子性质敏感地依赖于边缘修饰.随着边缘修饰的H原子数增加,纳米带变得更加稳定,并在间接带隙半导体、半金属和直接带隙半导体之间转变.纳米带的能带结构和电子态密度显示,其费米能级附近的能带主要由边缘态贡献.当二硫化钼纳米带两边用不同数目的H原子修饰时,纳米带同时具有由这两种修饰引起的边缘态并且两种边缘态的相互影响很小.研究了三类纳米带带隙与宽度的关系,对于每个原胞修饰0个或8个H原子的纳米带,带隙随宽度以3为周期振荡变化;而对于每个原胞修饰4个H原子的纳米带,带隙振荡不再具有周期并且振荡幅度变小.
杨志雄杨金新刘琦谢禹鑫熊翔欧阳方平
关键词：二硫化钼纳米带第一性原理电子结构
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0