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曾绍海

作品数：89 被引量：5H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信文化科学交通运输工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 87篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 18篇淀积
  • 17篇刻蚀
  • 15篇半导体
  • 12篇电路
  • 11篇金属
  • 11篇晶体管
  • 10篇离子注入
  • 10篇衬底
  • 9篇阻挡层
  • 9篇集成电路
  • 9篇侧墙
  • 8篇退火
  • 8篇离子
  • 8篇介质层
  • 8篇超大规模集成
  • 8篇超大规模集成...
  • 8篇大规模集成电...
  • 7篇场效应
  • 6篇氧化硅
  • 6篇离子源

机构

  • 89篇上海集成电路...

作者

  • 89篇曾绍海
  • 55篇李铭
  • 23篇左青云
  • 8篇黄仁东
  • 8篇康晓旭
  • 4篇易春艳
  • 2篇王伟军
  • 2篇王全
  • 2篇张伟
  • 1篇林宏
  • 1篇王俊丰
  • 1篇朱建军

传媒

  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇集成电路应用

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 13篇2019
  • 18篇2018
  • 9篇2017
  • 5篇2016
  • 6篇2015
  • 7篇2014
  • 8篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 89 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法
本发明提供一种鳍式场效应晶体管鳍部的制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有第一图形；接着在硬掩膜层上涂布光刻平坦化层，并对硬掩膜层刻蚀以形成第二图形；再接着去除光刻平坦化层，并在硬掩膜层的侧壁形...
曾绍海李铭易春艳姚树歆
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一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法
本发明公开了一种全耗尽绝缘层硅晶体管的形成方法，在SOI衬底上，通过在源漏层淀积一层金属，并连接在局部区域形成的高掺杂、激活的源漏区，可使串联电阻得到显著减小，从而解决了传统技术中因使用硅化物掺杂层所带来的接触电阻高的问...
曾绍海李铭
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一种空气侧墙的制作方法
本发明公开了一种空气侧墙的制作方法，在CMOS器件制作过程中，通过形成释放口将NMOS栅极、PMOS栅极两侧的APF侧墙刻蚀去除来形成空气侧墙，以取代传统的二氧化硅或氮化硅侧墙，利用侧墙中空气的介质特性，可有效减小器件的...
曾绍海李铭
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一种超低介电常数薄膜的制作方法
本发明公开了一种超低介电常数薄膜的制作方法，通过先对沉积形成的低介电常数薄膜进行刻蚀，形成所需的图形结构(此时的介质薄膜孔隙率较低，有足够的机械强度支撑硬掩膜引入的高应力)，然后再进行碳注入和紫外照射，以恢复介质薄膜中的...
曾绍海李铭
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浅沟槽隔离结构的填充方法、半导体器件的制备方法
本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的填充方法，以及具有浅沟槽隔离结构的半导体器件的制备方法，该填充方法包括：提供一个具有浅沟槽隔离结构的半导体器件衬底；在浅沟槽隔离结构内沉积氧化层；采用柔和化学腐蚀法去除氧化层带有空洞的中上...
曾绍海
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一种测量半导体鳍部粗糙度的方法
本发明公开了一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；步骤S04：...
曾绍海左青云李铭黄仁东
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一种FinFET侧墙的制作方法
本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所...
曾绍海李铭左青云
一种提升注入离子平行性的装置及其方法
本发明公开了一种提升注入离子平行性的装置及其方法，其中，所述装置包括靶盘平台、法拉第杯阵列、微磁场阵列和控制单元，所述靶盘平台用于放置待加工晶圆，所述法拉第杯阵列由位于同一平面的法拉第杯排列组成，所述法拉第杯阵列和所述待...
康晓旭曾绍海
一种高能离子注入机束流的调节装置和调节方法
本发明提供一种高能离子注入机束流的调节装置和方法，该装置包括离子源单元、吸极、磁分析器、第一和第二法拉第单元、反馈调节单元、加速单元、聚焦单元、扫描单元、偏转单元、透镜组以及靶室；离子被离子源单元旁边的吸极吸出，第一法拉...
陈张发曾绍海
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一种硅片承载基座及原子层沉积设备
本实用新型属于半导体集成电路制造设备技术领域，公开了一种硅片承载基座及原子层沉积设备，包括基座本体、气体供应管道以及气体供应源，其中，气体供应管道为多个，自底部贯通基座本体向硅片背面与基座本体上表面之间吹送气体，以阻止反...
曾绍海
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