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彭红玲

作品数：57 被引量：29H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 16篇键合
  • 13篇激光
  • 11篇激光器
  • 10篇探测器
  • 10篇光电
  • 8篇雪崩
  • 8篇外延片
  • 8篇光电探测
  • 8篇光电探测器
  • 7篇刻蚀
  • 7篇GAAS
  • 6篇雪崩光电探测...
  • 6篇腔面
  • 6篇谐振腔
  • 6篇面发射
  • 6篇面发射激光器
  • 6篇晶片
  • 6篇发射激光器
  • 6篇垂直腔
  • 6篇垂直腔面

机构

  • 57篇中国科学院
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇山西大同大学
  • 1篇山东理工大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇潍坊学院
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 57篇彭红玲
  • 39篇郑婉华
  • 13篇牛智川
  • 13篇韩勤
  • 12篇渠红伟
  • 11篇倪海桥
  • 11篇吴荣汉
  • 10篇张冶金
  • 10篇马绍栋
  • 7篇石岩
  • 7篇陈良惠
  • 7篇杨晓红
  • 7篇赵欢
  • 7篇齐爱谊
  • 6篇刘安金
  • 6篇张石勇
  • 6篇吴东海
  • 5篇王海玲
  • 4篇王科
  • 4篇杜云

传媒

  • 4篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 6篇2005
  • 1篇2004
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光电探测器及其制备方法
本公开提供一种光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件研究及光电子材料领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的第一缓冲层，第二缓冲层，第一欧姆接触层，吸收层，电子势垒层以及第二欧姆接触层；其中，第一缓冲层采用In组分渐变的I...
郑婉华曹澎彭红玲王天财
3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法
本发明提供了一种3～5μm红外波段雪崩光电二极管探测器(APD)及其制作方法，该红外波段APD包括自上而下叠置的减反膜层、P<Sup>+</Sup>型InSb电极接触层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延S...
郑婉华彭红玲
文献传递
室温连续激射1.3μm InAs/GaAs量子点激光器
用分子束外延(MBE)生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器.发现用InAlAs/InGaAs作为复合应力缓冲层可有效延展发光波长,增加基态和激发态的能量间隔,但量子点面密度过低.用InGaAs作为应力缓冲层,可使量子...
赵欢彭红玲佟存柱倪海桥张石勇吴东海韩勤牛智川吴荣汉
关键词：分子束外延量子点
文献传递
硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及其制作方法
本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型...
郑婉华彭红玲王天财石涛孟然哲齐爱谊李晶
文献传递
一种硅波导输出激光器
本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表...
郑婉华石涛王海玲孟然哲王明金彭红玲齐爱谊
氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析被引量：4
2005年
含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
佟存柱韩勤彭红玲牛智川吴荣汉
关键词：垂直腔面发射激光器串联电阻阈值电流
一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的I...
郑婉华彭红玲渠宏伟马绍栋
背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法
一种背入射近红外增强硅雪崩光电探测器的结构及制备方法，包括：衬底、π型层、p型层、n<Sup>+</Sup>层、贯穿p型层的沟道型保护槽、二氧化硅绝缘层以及第一电极；还包括位于结构下方的衬底掏空区域、硅柱区和第二电极。本...
郑婉华王天财彭红玲鲁玉环王亮徐传旺
半导体激光器驱动电路
本发明提供了一种半导体激光器驱动电路。该半导体激光器驱动电路包括：脉冲整形电路，用于对输入的窄脉冲信号的波形进行整形，并进一步压缩其脉宽；以及功率放大电路，与脉冲整形电路相连接，用于利用高压，对脉冲整形电路输出的窄脉冲信...
彭红玲渠红伟张冶金郑婉华
文献传递
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
文献传递
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