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张宗民

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇电路
  • 6篇射频
  • 6篇通信
  • 6篇偏置
  • 6篇偏置电路
  • 6篇放大器
  • 6篇封装
  • 6篇封装结构
  • 5篇电子器件
  • 5篇信号
  • 4篇电流
  • 4篇电流检测
  • 4篇电压
  • 4篇电子设备
  • 4篇环形器
  • 4篇基板
  • 4篇功率放大
  • 4篇功率放大器
  • 3篇单板
  • 3篇电路板

机构

  • 26篇华为技术有限...

作者

  • 26篇张宗民
  • 4篇张正海
  • 4篇谢荣华
  • 2篇庞照勇
  • 2篇王建
  • 2篇杨飞
  • 2篇张同超
  • 2篇李朝强
  • 2篇周兴学
  • 2篇杨瑞泉
  • 2篇袁雪梅
  • 2篇张如
  • 1篇曹伯承
  • 1篇王昕
  • 1篇代郁峰
  • 1篇孙益军
  • 1篇孙捷
  • 1篇李洪彩
  • 1篇王运凯
  • 1篇盛海强

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种封装结构、电子设备及封装结构的制备方法
本申请提供了一种封装结构、电子设备及封装结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该封装结构包括芯片、天线阵子以及基体。其中：基体内部设置有第一电路走线和第二电路走线，第一电路走线相对第二电路走线靠近基体的第一表面设置，且第一...
贾文平张宗民张湘辉于睿
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封装结构及电子器件
本申请实施例提供一种封装结构及电子器件，该封装结构的第一导电层通过位于芯片本体外部的第一导电件与第一衬底导通，而且芯片本体上开设有槽孔，槽孔内设有第二导电件，第一导电层通过第二导电件与第一衬底导通。通过在第一导电层与衬底...
张宗民谢荣华孙益军曹梦逸
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功率管的偏置电路以及功率放大器、无线通信装置
本发明实施例公开了一种功率管的偏置电路以及设有该偏置电路的功率放大器，属于无线通信技术领域。解决了现有的功率管的偏置电路不能保证严格的上下电顺序，因此功率管存在烧毁的风险的技术问题。该偏置电路中，Vg0通过电压转换单元为...
张宗民李朝强张正海
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电流检测电路及装置
本发明提出了一种电流检测电路，该电路包括MOS管，通过源极和栅极串联于被检测电流所在的回路之中；偏置电路，与所述MOS管的栅极相连，将所述MOS管偏置在线性工作区；电压检测电路，与所述MOS管的源极和栅极相连，检测所述M...
张宗民周兴学
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功放封装装置及基站设备
本发明实施例涉及一种功放封装装置及基站设备。本发明实施例的功放封装装置包括：外壳，设置于外壳内与各个射频通道对应的并联放置的功放管，在所述功放管之间设置有用于吸收所述功放管发出的干扰电磁波的隔离板。基站设备包括：多个射频...
张乐代郁峰王昕张宗民
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GaN衬底、半导体器件及其制作方法
本发明提供一种GaN衬底、半导体器件及其制作方法，GaN衬底包括：GaN基底；AlGaN层，位于GaN基底上；p型导电层，位于AlGaN层的有源区上，用于耗尽AlGaN层上的表面态负电子并中和AlGaN层上的悬挂键。本发...
张正海张宗民曹伯承
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一种集成的环形器
本发明涉及一种集成的环形器，其包括环形器、连接器以及具有微带线上的电路板，所述环形器设置在所述电路板的下方，所述连接器设置所述电路板的上方，所述环形器的输出端通过焊接或者插针的连接方式穿过所述电路板或者绕开所述电路板连接...
杨飞张宗民张同超
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薄膜体声波谐振器、通信器件和射频模块
本发明提供一种薄膜体声波谐振器、通信器件和射频模块。该薄膜体声波谐振器包括衬底，所述衬底上依次设置有下电极层、压电薄膜和上电极层；所述衬底与下电极层之间层叠设置有2个或2个以上的空气隙。本发明实施例提供的薄膜体声波谐振器...
王建张宗民
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封装结构和电子装置
本发明实施例公开了一种封装结构，包括第一基板、第二基板、电子器件和多个连接柱。第一基板的第一表面和第二基板的第一表面相对，电子器件安装至第一基板的第一表面。第二基板的第一表面包括导热区，电子器件靠近第二基板的一侧与导热区...
谢荣华陈开荣张宗民
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HEMT器件制造方法、HEMT器件及射频功率放大器
本申请公开了一种HEMT器件制造方法、HEMT器件及功率放大器，该方法包括：制备二氧化硅或硅衬底的高电子迁移率功率晶体管HEMT器件；通过载板对所述HEMT器件进行固定；将所述HEMT器件衬底局部的二氧化硅或者硅移除，所...
孙捷张宗民朱胜
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