尚淑霞
- 作品数：41 被引量：76H指数：4
- 供职机构：东北师范大学城市与环境科学学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Bi_2Ti_2O_7薄膜制备及 Bi_2Ti_2O_7绝缘栅场效应管研制被引量：1
- 2001年
- 采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。 制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数， 用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比，具有较高的跨导和较低的开启电压。
- 肖卓炳吴显明王少伟王弘王卓尚淑霞王民
- 关键词：化学溶液沉积法介电常数
- 退火温度对(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜物理和电学性质的影响
- 2004年
- 采用化学溶液沉积法,在Si[100]衬底上制备了掺La的(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜,研究了退火温度对薄膜结晶性及电学性能的影响.研究发现,随着退火温度的升高,样品的结晶性越来越好;漏电流密度随之降低,表明绝缘性逐渐增强.实验证明该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.
- 杨雪娜黄柏标尚淑霞
- 关键词：退火温度X射线衍射电学性质
- 化学溶液沉积法制备的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的电学性能研究被引量：3
- 2000年
- 采用化学溶液沉积工艺在电阻率为 6～ 9Ω·cm的n -Si(10 0 )衬底上生长Bi4Ti3O1 2 铁电多晶膜 ,研究了薄膜的电学性能 ,结果表明在 6 50℃下退火 1h得到的Bi4Ti3O1 2 薄膜具有良好的介电和铁电性能 ,其介电常数ε =12 9,剩余极化Pr=5.1μC/cm2 ,矫顽电场Ec=96kV/cm。
- 吴显明王弘王卓尚淑霞王民
- 关键词：铁电薄膜介电常数电滞回线
- 全文增补中
- High-k材料研究进展与存在的问题被引量：4
- 2004年
- 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。
- 杨雪娜王弘张寅姚伟峰尚淑霞周静涛刘延辉
- 关键词：介电常数势垒高度热稳定性栅介质材料半导体材料
- CSD法制备PZT/Bi_2Ti_2O_7薄膜的研究被引量：1
- 2000年
- 用化学溶液分解 (CSD)法制备 Pb(Zr0 .5 Ti0 .5 ) O3 (PZT)和 Bi2 Ti2 O7薄膜 ,利用 X-射线衍射技术研究了以 Bi2 Ti2 O7为籽晶层的 PZT薄膜的结晶性。实验结果表明 ,以高 (111)取向的 Bi2 Ti2 O7为籽晶层可获得高结晶性的 PZT薄膜 ,在 75 0°C退火 10 min的 PZT/Bi2 Ti2 O7薄膜具有单一的钙钛矿相。
- 王少伟王弘许效红尚淑霞王民
- 关键词：PZT薄膜钛酸铋
- 化学溶液分解法制备Bi_(4)Ti_(3)O_(12)纳米晶体材料被引量：1
- 2000年
- Bi4Ti3 O12 是一种典型的铁电材料 ,它具有优良的铁电、电光和压电等性能 ,广泛应用于电光器件、存储器及压电器件等方面 ,是制作铁电存储器的主要材料之一。化学溶液分解 (CSD)法是在溶胶凝胶 (Sol Gel)法和金属有机化合物分解 (MOD)法的基础上改进的一种方法 ,该方法不但继承了以上两种方法的优点 ,还弥补了它们的一些不足 ,工艺更简单、成本更低。本文以Bi(NO3 ) 3 ·5H2 O和Ti(OC4H9) 4为原料 ,用化学溶液分解法制备了纳米级Bi4Ti3 O12 晶体 ,用快速退火装置 (RTA)在不同退火温度和不同退火时间下对样品处理得到相应粒径的纳米晶体 ,并用X射线衍射和透射电镜对这些纳米晶体进行评估 ,研究了退火温度及时间对Bi4Ti3 O12 纳米晶体的结晶度和粒径大小的影响。
- 王少伟侯云黄佶王卓尚淑霞王弘王民
- 关键词：纳米晶铁电材料化学溶液分解法
- MOCVD生长Mg2TiO4薄膜的表面形貌
- 本文报道MOCVD生长MgTiO薄膜的表面形貌及与生长温度,生长速度,膜厚的关系。采用日立S—520扫描电镜观测样品的表面形貌。结果表明,适当的生长条件下可获得表面光滑平整,结晶性良好的(100)取向的MgTiO单晶外延...
- 尚淑霞曾建民王弘
- 关键词：表面形貌扫描电镜
- 文献传递
- (La_xBi_(1-x))_2Ti_2O_7薄膜X射线光电子能谱研究
- 2005年
- 采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi2Ti2O7(BTO(和(LaxBi1-x)2Ti2O7(BLT(铁电薄膜,薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性,运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,薄膜中氧空位的出现影响了其相的稳定性,通过掺La可以改善其性能。
- 张寅王弘杨雪娜姚伟峰尚淑霞刘维民
- PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度和介电性质被引量：1
- 1997年
- 研制了新的PT－PEK－c电光聚合物薄膜材料，用准波导耦合m线方法测量了PT－PEK－c电光聚合物薄膜的厚度，并测量了该聚合物薄膜在1×102Hz到1×107Hz频率范围内的室温介电常数．测量结果为：厚度d=2.328±0.315μm，在10KHz下，介电常数εr＝4023±0．063，介电损耗tanδ＝0．003．
- 任诠王志刚郭世义许东尚淑霞
- 关键词：介电性质厚度测量非线性
- 超导晶体 Bi_(2.8)Pb_(0.4)Sr_(3.2)Ca_(1.3)Cu_3O_x 的助熔剂法生长及多相交生现象
- 1989年
- 用助熔剂法生长了 Bi_(2.8)Pb_(0.4)Sr_(3.2)Ca_(1.3)Cu_3O_(?)超导晶体。晶体尺寸达10×4×3mm^3.晶体具有正交结构,晶胞参数为 a=5.38(?),b=5.37(?),c=30.9(?)。直流电阻和交流磁化率测量表明 T_(c(zero)),=89K。在少数解理的薄晶片中发现多相交生现象,XRD 图显示 c=37.8(?)的高温超导相存在,R—T 曲线在103K 出现陡降,在97K 出现台阶,89K 时达到零电阻状态。文中讨论了 Pb 对高温相形成的作用。
- 王弘尚淑霞王卓沈效农
