您的位置： 专家智库 > >

孙振翠

作品数：26 被引量：48H指数：4
供职机构：山东交通学院理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省博士后创新项目博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇溅射
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 9篇GAN薄膜
  • 7篇射频磁控
  • 7篇射频磁控溅射
  • 7篇硅基
  • 7篇镓
  • 6篇GA
  • 5篇氮化镓
  • 4篇氨化
  • 4篇半导体
  • 4篇SI基
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇发光
  • 3篇SI(111...
  • 3篇衬底
  • 2篇纳米

机构

  • 21篇山东师范大学
  • 8篇山东交通学院
  • 1篇山东农业大学

作者

  • 26篇孙振翠
  • 17篇薛成山
  • 13篇魏芹芹
  • 13篇曹文田
  • 5篇王书运
  • 5篇庄惠照
  • 5篇孙海波
  • 4篇董志华
  • 3篇王强
  • 2篇裴素华
  • 2篇高海永
  • 2篇杨利
  • 2篇伊长虹
  • 2篇张芹
  • 2篇裴娟
  • 1篇郭兴龙
  • 1篇王强
  • 1篇王惠
  • 1篇石礼伟
  • 1篇原所佳

传媒

  • 6篇稀有金属材料...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇山东师范大学...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇山东交通学院...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇分析测试技术...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇泰山学院学报
  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2005
  • 10篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
共 26 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究被引量：1
2003年
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)。X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析。初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳。SEM显示在均匀的薄膜上出现φ6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山王强
关键词：氮化镓SEMSAEDXRD光致发光谱
利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数
2014年
膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内(20.6℃-70.6℃)空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27%,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.
裴娟秦羽丰孙振翠贾景立
关键词：霍尔元件线膨胀系数梯度磁场
Si基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜
2007年
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓S i基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和荧光光谱(PL)对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。
孙振翠原所佳孙海波
关键词：GAN薄膜射频磁控溅射
氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜被引量：5
2005年
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和 荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。
魏芹芹薛成山孙振翠曹文田庄惠照
关键词：GAN氮化磁控溅射
热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面
2004年
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和发光特性的分析。SEM显示在平滑的表面上出现了由绳状、树根状、项链状晶体组成的奇异面。FTIR、XRD和SAED显示生成的GaN奇异面呈六方纤锌矿多晶结构同时含有少量的碳污染。PL谱显示了不同于一般GaN发光谱的发光峰。
孙振翠曹文田魏芹芹薛成山王书运
关键词：GAN薄膜SI基绳状
扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析被引量：2
2004年
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大.
王书运孙振翠曹文田薛成山
关键词：射频磁控溅射
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究被引量：1
2004年
采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶体膜。实验结果显示:采用该工艺制备 GaN 晶体膜时,选择 H2 作反应气体兼载体,对 GaN 膜的形成起着非常有利的作用。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山孙海波
热壁CVD法GaN微晶粒的制备
2003年
用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。用扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射谱(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)、光致荧光谱(PL)对样品进行了结构、组分及发光特性分析。结果表明:这些微晶粒为GaN六方铅锌矿。
薛成山魏芹芹孙振翠曹文田董志华
关键词：氮化镓薄膜发光特性
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响被引量：3
2004年
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10％左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
裴素华孙海波王强孙振翠石礼伟
关键词：TIO2
氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究被引量：2
2005年
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。
魏芹芹薛成山孙振翠庄惠照王书运
关键词：GAN氨化磁控溅射
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0