周桃飞
- 作品数:44 被引量:11H指数:2
- 供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程文化科学更多>>
- 一种肖特基二极管及其测试方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管,包括:GaN层;位于GaN层上的绝缘层,绝缘层具有一开口部,形成肖特基接触区域;第一电极,形成于肖特基接触区域内,与GaN层接触,并且,第一电极至少部分覆盖于所述绝缘层的上部;第二电极,与第...
- 刘磊张敏田飞飞郑树楠张志强王海周桃飞弓晓晶王建峰徐科
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- 一种高倍聚光光伏电池测试系统及测试方法
- 本申请公开了一种高倍聚光光伏电池测试系统,包括:光源,所述光源为太阳模拟光源;聚光系统,接收所述光源发出的模拟太阳光并输出一定能量聚光比的会聚光束,所述聚光系统包括会聚透镜以及位于所述光源和会聚透镜之间的孔径可调的光阑;...
- 周桃飞徐科张敏刘磊田飞飞郑树楠张志强顾泓
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- 多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法
- 本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法,属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台,样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内;所述减薄待测样品的方法步骤为:将一样品置于反应腔室...
- 刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民曾雄辉王建峰周桃飞邱永鑫徐科
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- 肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法,包括步骤:A、依次生长重掺杂层和轻掺杂层,形成GaN自支撑衬底,其中,重掺杂层和轻掺杂层的GaN掺杂浓度和厚度分别为1×10<Sup>18</Sup>~1×10<Sup>19</S...
- 刘磊周桃飞王建峰徐科
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- 材料界面的原位加工测试装置
- 本发明提供材料界面的原位加工测试装置,属于半导体测试技术领域。测试装置包括一第一真空腔室、一第二真空腔室、一真空管、一光路耦合装置和一传递装置;第一真空腔室与第二真空腔室通过真空管相连;真空管包括一真空阀门,用于控制第一...
- 徐耿钊刘争晖钟海舰樊英民曾雄辉王建峰周桃飞邱永鑫徐科
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- 半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法
- 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法,属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器,电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜...
- 刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民曾雄辉周桃飞邱永鑫王建峰徐科
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- 一种测定拉曼光谱仪中激光入射角的方法
- 本发明公开了一种测定拉曼光谱仪中激光入射角的方法,包括:选取六方晶体的半极性面,并在其上作出相互垂直且均垂直于表面法线的X轴和Y轴;将拉曼光谱仪的激光入射至半极性面上;将六方晶体围绕表面法线旋转,并分别采集六方晶体在不同...
- 胡匀匀周桃飞郑树楠王建峰徐科
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- 一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法
- 本发明公开了一种基于紫外拉曼光谱的测试压电效应的方法,包括:在压电试块的上下表面分别制备上金属膜和下金属膜,得到膜层压电试块;测试膜层压电试块的第一拉曼光谱;以上金属膜和下金属膜为电极,向膜层压电试块施加电压,并测试膜层...
- 顾泓周桃飞田飞飞郑树楠张志强王建峰徐科
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- 同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法
- 一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰;根据衬...
- 崔苗周桃飞徐科黄俊王建峰田飞飞张锦平
- 应用于微型成像的氮化镓超透镜设计被引量:2
- 2018年
- 为了实现可见光入射时亚波长尺度内的聚焦,设计了以氮化镓(GaN)纳米柱为基本晶胞的超透镜,该透镜能够改进传统成像系统的笨重低效,可应用于微型成像系统。超透镜表面由宽度渐变高度不变的GaN纳米柱阵列构成,分析GaN在亚波长尺度内对相位的调控能力和机理,并基于时域有限差分法模拟仿真了在蓝光波长为460nm入射时透射场的高效率聚焦,对比超透镜尺寸为3.75μm×3.75μm、6.75μm×6.75μm、8.75μm×8.75μm、10.75μm×10.75μm时超透镜的聚焦能力,得出聚焦后透射场焦点处的半峰全宽分别为1,0.8,0.5,0.3μm,给出了强度分布、聚焦光斑等仿真模拟结果,发现实际焦距与设计值存在偏差,且随超透镜尺寸的变化而变化。文中所设计的超透镜能够在微米级别实现聚焦,有效降低了传统成像系统的复杂度。
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- 关键词:GAN