周晓龙
- 作品数：15 被引量：18H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信语言文字理学更多>>
- Si衬底LED外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
- 刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
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- GaN基LED外延片
- 本实用新型公开了一种GaN基LED外延片，涉及以半导体为特征的器件技术领域。所述外延片包括：4英寸硅衬底，所述4英寸硅衬底的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、硅掺杂N型GaN层、InG...
- 刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉
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- 一种新型宽带微波单片功率放大器
- 运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μmPHEMT器件进行了大信号建模;随后在ADS环境下,利用此模型,并采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法设计了一款三级宽带功率放大器.其仿真结果为:在6～...
- 骆新江杨瑞霞吴敬峰周晓龙姜霞刘岳巍
- 关键词：功率放大器大信号建模
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- Si衬底LED外延片
- 本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型Ga...
- 刘波戭玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
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- 磷化铟单晶
- 本标准规定了N型,半绝缘型(SI),P型磷化铟单晶锭及单晶锭片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化铟单晶材料(以下简称单晶)。
- 孙聂枫周晓龙孙同年
- 关键词：磷化合物铟半导体材料
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- 磷化铟晶体合成生长研究现状被引量：8
- 2010年
- 介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较。对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作了介绍和讨论,同时,介绍了磷化铟单晶材料研究领域的发展趋势。
- 高海凤杨瑞霞杨帆孙聂枫周晓龙
- 关键词：磷化铟单晶生长半绝缘
- Si衬底LED外延片及其制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底LED外延片及其制备方法，涉及具有特殊晶体结构的器件及其制备方法技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN...
- 刘波房玉龙王波袁凤坡潘鹏汪灵白欣娇周晓龙王静辉
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- Φ100mm掺硫InP单晶生长研究被引量：6
- 2004年
- InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究。首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率。采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性。制备出100mm掺硫InP整锭<100>InP单晶和单晶片。经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3。本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70°或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生。
- 徐永强李贤臣孙聂枫杨光耀周晓龙谢德良刘二海孙同年
- 关键词：磷化铟单晶生长位错密度
- 2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器
- 2008年
- 运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22～24dB之间,功率附加效率PAE在23%～28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5～19GHz内)。
- 骆新江杨瑞霞吴景峰周晓龙姜霞
- 关键词：功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
- 大直径InP单晶制备及其半绝缘特性研究
- 磷化铟/(InP/)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径InP单晶生长;与熔体配比相关的缺陷性质;半绝缘InP晶片的制备,主要获得以下...
- 周晓龙
- 关键词：磷化铟单晶生长半绝缘
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