吴凤美
- 作品数：12 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MNOS结构辐照感生界面电荷的研究
- 1993年
- 本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及辐照顺序有关。文中还对实验结果作了进一步讨论。
- 吴凤美施毅赵丽华祁斌刘英堃周荷秀路金印
- 关键词：辐照界面电荷半导体
- 用光电导研究不同厚度未掺杂MOCVDGaAs外延层自由激子
- 1995年
- 用光电导测定厚度为４～３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓＭＯＣＶＤ外延层中自由激子跃过特性．发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度和寿命τ都减小，这些效应主要归因于外延层表面的缺陷和电场的作用，最后，讨论了光致发光结果和测量温度对它的影响．
- 吴凤美施毅
- 关键词：外延层光致发光砷化镓
- 高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究
- 1989年
- 本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了新工艺、新材料使器件只有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征。
- 施毅吴凤美滕敏康沈德勋程开甲王长河
- 关键词：二极管中子辐照
- 10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究
- 1998年
- 研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征，认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系，这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰，可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示，小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．
- 立海峰高敦堂高敦堂
- 关键词：砷化镓外延层RAMAN散射电子辐照
- 电场和注量对硅辐照缺陷形成的影响
- 1992年
- 本文调查了电场、注量和注量率对硅电子辐照缺陷形成的影响。实验结果表明,辐照电场的存在将造成缺陷在空间电荷区的不均匀分布。在大辐照注量和注量率下,某些辐照缺陷形成率将明显降低。本文还在理论上进行了分析。
- 吴凤美赖启基施毅王振洲
- 关键词：电场硅辐照缺陷
- 脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究
- 2001年
- 研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0
- 袁晓利吴凤美施毅郑有炓
- 关键词：深能级瞬态谱硅
- SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究被引量：1
- 1996年
- 用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。
- 赵周英吴凤美
- 关键词：热退火单晶深能级
- 12MeV电子对塑封硅器件的辐照效应研究
- 赖启基吴凤美蒋永兴
- 关键词：辐照半导体物理晶体缺陷塑料封装
- SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究被引量：1
- 1989年
- 用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.
- 吴凤美沈德勋滕敏康陈岭唐杰张德宏
- 关键词：GAAS正电子湮没
- 未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究
- 1990年
- 用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。
- 吴凤美滕敏康沈德熏陈岭
- 关键词：砷化镓正电子湮没退火行为辐照
