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史峥

作品数:89 被引量:101H指数:6
供职机构:浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程自然科学总论更多>>

文献类型

  • 54篇期刊文章
  • 31篇专利
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 19篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 33篇电路
  • 25篇集成电路
  • 21篇光刻
  • 20篇光学邻近校正
  • 16篇版图
  • 14篇成品率
  • 11篇可制造性
  • 9篇可制造性设计
  • 8篇光刻仿真
  • 7篇芯片
  • 6篇掩模
  • 5篇寻址
  • 5篇晶圆
  • 5篇可寻址
  • 5篇光刻模拟
  • 5篇光学邻近效应
  • 5篇硅表面
  • 5篇分辨率增强技...
  • 5篇参数初始化
  • 5篇层次化

机构

  • 87篇浙江大学
  • 3篇华东地质学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇鞍山钢铁学院
  • 2篇清华大学
  • 1篇鞍山科技大学
  • 1篇东华理工大学
  • 1篇杭州中天微系...

作者

  • 89篇史峥
  • 52篇严晓浪
  • 14篇郑勇军
  • 13篇王国雄
  • 12篇陈晔
  • 10篇马铁中
  • 8篇陈志锦
  • 6篇张培勇
  • 6篇高根生
  • 6篇罗凯升
  • 6篇叶翼
  • 5篇沈珊瑚
  • 4篇付萍
  • 4篇薛江
  • 4篇杨祎巍
  • 4篇邵康鹏
  • 4篇谢春蕾
  • 4篇马玥
  • 4篇林斌
  • 4篇潘伟伟

传媒

  • 8篇计算机工程
  • 7篇机电工程
  • 6篇Journa...
  • 6篇电路与系统学...
  • 6篇微电子学
  • 3篇江南大学学报...
  • 3篇浙江大学学报...
  • 2篇光学学报
  • 2篇计算机工程与...
  • 1篇电测与仪表
  • 1篇电子学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇电子器件
  • 1篇半导体光电
  • 1篇华东理工大学...
  • 1篇计算机科学
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 5篇2012
  • 8篇2011
  • 11篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 13篇2007
  • 6篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
89 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超深亚微米下快速电源网格节点电压求解器被引量:1
2004年
提出了利用预处理器来提供强大的压缩节点功能 ,大大提高了电源网格节点电压求解器的求解能力和求解速度 .实验证明 ,该求解器能处理大规模电路设计 ,速度快 。
杨垠丹严晓浪史峥葛海通
关键词:超深亚微米VLSI
DMBT系统中利用FWT快速实现信道估计
2009年
根据PN码的结构特性,针对DMB-T系统多载波模式,本文提出了一种新的理论上与滑窗相关法等价的信道估计方法,利用FWT(快速沃尔什变换)实现快速多径捕获。通过干扰抵消进一步消除了径间干扰。该方法具有很强的抗多径效应和抗强窄带干扰的能力,将运算复杂度从传统滑动互相关法的N2降低到(N+1)log2(N+1)。
虞斐蒋朱成史峥冯晨晖
关键词:信道估计PN序列
一种层次化的光学邻近效应校正方法
本发明公开的层次化光学邻近效应校正方法,包括预校正单元库的准备,掩模图形偏移量的初始化和利用动态调整算法进行快速运算的步骤,提出了一种在光学邻近效应校正过程中充分利用版图层次化结构的方法,使在深亚微米条件下由于计算量太大...
严晓浪史峥张宇孚
文献传递
晶圆切割和随机缺陷驱动的掩模设计方法被引量:2
2014年
针对现有掩模设计方法的不足,提出了同时考虑晶圆切割和随机缺陷的掩模设计方法.在预估边到边晶圆切割引起的成品率丢失的同时,将随机缺陷引起的成品率丢失也纳入了设计参考量.对掩模上芯片进行布局规划的阶段,使那些由于随机缺陷造成成品率丢失较高的芯片在布局规划的目标函数中拥有较大的权重.这些芯片会在模拟退火算法迭代的过程中被自动放置在相应的与其他芯片较少切割冲突的位置,避免了后期晶圆切割对其产量造成的损失.此方法均衡了芯片之间的产量,在满足各个芯片需要产量的前提下,减少了生产所需的晶圆数量.与最小化掩模面积的设计方法和只考虑晶圆切割的设计方法比较,该方法使生产所需要的晶圆数量分别减少了15.22%和7.14%.
叶翼朱椒娇史峥
关键词:集成电路制造计算机辅助设计模拟退火成品率模型
一种基于密集采样成像算法的光刻制造模拟方法
本发明公开的基于密集采样成像算法的光刻制造模拟方法,包括重建TCC,频域扩展和利用特性加速计算的步骤,提出了基于密集采样成像算法的光刻制造模拟的计算流程,并采用了全新的加速算法,能够快速计算和预测在集成电路光刻制造过程中...
严晓浪史峥王国雄陈晔
文献传递
亚波长光刻条件下集成电路可制造性设计与验证技术研究
从0.18um技术节点开始,半导体制造工艺中广泛采用了所谓“亚波长光刻”技术。在该种技术下生产的集成电路特征尺寸小于光源波长。亚波长光刻的使用,导致掩模图形和硅片表面实际印刷图形之间不再一致。版图图形转移过程中的失真,将...
史峥
关键词:光刻仿真光学邻近效应可制造性设计光学邻近校正版图验证
一种用于光学邻近校正的区别化层次处理方法
本发明公开了一种用于光学邻近校正的区别化层次管理方法。包括如下步骤:1)建立光学仿真模型以及数据初始化;2)由光学仿真模型和版图相关信息确定图形相互影响的距离;3)对版图各个区域进行识别,区分相似区域和非相似区域,并做不...
罗凯升严晓浪史峥
标准移动图像处理体系结构的架构和电路实现
2007年
在介绍了手机照相模块发展的基础上,描述了标准移动图像处理体系结构(SMIA)的总体架构,包括照相模块的功能、结构设计、电气特性等,尤其对密集型照相端口(CCP2.0)和照相控制端口(CCI)作了详细的阐述,并实现了具体的电路设计,采用smic 0.18 um工艺,数据传输电路可以稳定地工作在650 MHz,数字电路部分约为3 k门。
陈红珍薛江史峥
基于模型的光学校正系统的设计与实现被引量:7
2004年
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正.
王国雄严晓浪史峥陈志锦
关键词:光刻模拟光学邻近校正移相掩模
基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法被引量:1
2011年
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。
沈泫史峥
关键词:光学邻近校正
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