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刘文安

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇栅控
  • 1篇栅控二极管
  • 1篇硅栅
  • 1篇二极管
  • 1篇保护电路
  • 1篇SOI
  • 1篇TF
  • 1篇CMOS
  • 1篇ESD
  • 1篇MOS器件

机构

  • 2篇西安微电子技...

作者

  • 2篇沈文正
  • 2篇刘文安
  • 2篇罗来华
  • 1篇赵文魁

传媒

  • 2篇微电子学与计...

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双多晶硅栅SOI MOS器件的研究被引量：2
2000年
采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。
罗来华刘文安沈文正
关键词：SOIMOS器件
TFSOI/CMOS ESD研究被引量：2
2000年
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
刘文安罗来华赵文魁沈文正
关键词：ESD栅控二极管CMOS保护电路
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