佘思明
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金中国科学院科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 含氮CZ硅力学行为研究被引量：2
- 1993年
- 用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。
- 石志仪谢书银佘思明李立本张锦心
- 关键词：单晶制备直拉硅
- 直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(上)被引量：1
- 1991年
- 本文从相似理论出发,导出了实验模拟直拉法生长单晶硅(CZ-Si)熔体流动状态所需满足的相似条件,并以此为根据,对CZ-Si熔体流动状态进行了实验模拟。恒温液体中的液流以液体柱的存在为特征;非恒温液体中液流是轴对称的。运用旋流理论对恒温液体中液柱的形成及其运用规律进行了理论分析。本文还研究了圆盘转速和坩埚转速对某些重要区域温度分布及其稳定性的影响。
- 程秋平佘思明
- 关键词：单晶硅直拉法熔体流动
- 扩展电阻探针在硅材料研究上的应用被引量：2
- 1996年
- 主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
- 李冀东施锦行佘思明
- 关键词：扩展电阻探针硅电阻率
- 直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(下)
- 1991年
- 六、热对流及其与强迫对流的作用 (一)埚壁加热引起的热对流 ω_s=ω_c=0时,仅加热埚壁和冷却圆盘,液体产生自然对流环流。埚壁附近液体受热上浮,中心处圆盘下液体下沉。如图11所示。热对流强度由格拉晓夫数决定。
- 程秋平佘思明
- 关键词：单晶硅直拉法熔体流动
- 氮和碳对洁净区宽度的影响
- 1993年
- 氮与碳的存在,降低了产生氧沉淀的初始间隙氧浓度的阈值,使洁净区宽度缩小。
- 佘思明刘培东
- 关键词：直拉硅半导体材料
- 氮气氛直拉硅中氮氧复合物及其红外吸收
- 1991年
- 本文分析了掺氮的CZ硅中与氮有关的七条红外吸收峰的形成,指出所谓的“氮氧复合物”实质上是在氮对-硅四面体基础上发展而成的氮对-硅-氧复合体。文章还分析了热处理后的掺氮CZ硅的红外吸收,由此找到了研究硅中氮氧相互作用的一种有效方法。
- 刘培东佘思明廖平婴董萍
- 关键词：复合物红外吸收硅
- 硅中氮的电学行为的研究被引量：1
- 1996年
- 用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．
- 佘思明李冀东廖平婴
- 关键词：硅氮半导体材料
- 温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响被引量：1
- 1990年
- 利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。
- 佘思明
- 关键词：温度场单晶
