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何亦辉: 作品数：17 被引量：12H指数：3; 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

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检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕

退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响被引量：4: 2014年; 研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd／Zn和Te气氛退火后，其光电性能的变化规律。研究表明，在Cd／Zn气氛下退火180h后，CdznTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级，晶体的体电阻率由10^10Ω·cm减小至～10^7Ω·cm。同时发现，Cd／Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm^-1范围内红外透过率曲线的平直状态，这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关，而与晶体中的载流子浓度和夹杂／沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时，发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg（p）呈近似线性关系，同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。; 何亦辉介万奇周岩刘惠敏徐亚东王涛查钢强; 关键词：CDZNTE晶体红外透过率退火

检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置视场小的技术问题。技术方案是所述光源(1)通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端；所述载物台(6)是三维自动平移台，通...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕; 文献传递

检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现...; 介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕; 文献传递

Ar和H_2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究被引量：1: 2014年; 对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究。利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应。结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应。; 郭欣介万奇何亦辉周岩王涛; 关键词：CDZNTE XPS 退火

控制降温对近空间升华法沉积CdZnTe薄膜形貌与结构的影响被引量：1: 2012年; 采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速(炉冷,673K以上-8K/min)和慢速(-2K/min)两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌,并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明,所得到的薄膜均为闪锌矿结构,降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势,以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度,降低粗糙度及薄膜的织构强度。; 高俊宁袁妍妍何亦辉于晖仝俊利王涛介万奇

探测器级CdZnTe晶体变温特性研究: 2011年; 采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。; 徐亚东何亦辉王涛查钢强傅莉介万奇; 关键词：CDZNTE Α粒子漏电流

Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究被引量：2: 2014年; 通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.; 周岩介万奇何亦辉蔺云郭欣刘惠敏王涛徐亚东查钢强; 关键词：CDZNTE CD ZN合金退火

富Te条件下CdTe晶体中的点缺陷研究: 2014年; 基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd)。利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级。计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用。; 刘惠敏王涛何亦辉周岩张昊徐亚东查钢强介万奇; 关键词：CDTE 点缺陷费米能级

CdZnTe探测器γ射线响应及稳定性研究被引量：3: 2010年; 基于自制的CdZnTe(CZT)平面探测器(10 mm×10 mm×2.5 mm),研究其对未经准直241Am(59.5 keV)γ射线连续10 h的光谱响应变化规律,未发现极化现象,并验证了其具有较好的长期稳定性。制备CZT弗里希电容栅格探测器(10 mm×5 mm×10 mm),测试发现,其对未经准直能量为662 keV137Csγ射线的能量分辨率约为3.65%。; 徐亚东介万奇何亦辉查钢强王涛王军; 关键词：极化 Γ射线