位永平
- 作品数：21 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的P...
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- 文献传递
- 976nm高效率半导体激光器被引量：5
- 2011年
- 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。
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- 关键词：半导体激光器线阵列
- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
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- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的P...
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- 多叠层隧道级联半导体激光器
- 本实用新型公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高...
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- 提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用
- 本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar...
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- 低压MOVCD生长的无制冷1550nm AlGaInAs/InP应变量子阱激光器材料的研究
- 随着数字通信需求的快速增长,过去数年来全球光通讯产业取得了飞速发展.由于光纤的损耗和色散在1310nm和1550nm波长附近最小,1.3μ m和1.55 μ m波段半导体激光器成为光通讯中最重要的光源.为了降低成本,通信...
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- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP？DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
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- 文献传递
- 808nm平顶光场大功率激光器
- 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场...
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- 一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
- 2014年
- 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
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- 关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
