公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法: 本发明公开了一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明提出的用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物是CuIn1-xRxTe<Su...; 郭永权郑淑付丽; 文献传递

用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法: 本发明公开了一种用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明提出的用作太阳能电池吸收层的稀土半导体化合物是CuIn1-xRxTe<Su...; 郭永权郑淑付丽; 文献传递

稀土碲基半导体的制备、结构表征及物性的研究: 论文分别采用非自耗真空电弧熔炼法和真空固相反应法制备出稀土Ce掺杂的 CuIn1-xCexTe2(x=0,0.1,0.2,0.3)和 Mn掺杂的 RTe3-xMnx(R=Pr,Eu,Dy;x=0,0.1,0.2,0.3)...; 付丽; 关键词：结构精修半导体

从三元黄铜矿结构CuM_((M=In,Ga))X_(2(X=Se,S))到CuIn_(0.5-)Ga_(0.5)Se_2的价电构、熔点和光电性能的关联性分析被引量：1: 2013年; 应用"固体与分子经验电子理论"(Empirical Electron Theory,EET)系统地研究了三元黄铜矿结构CIGS的价电子结构,以此为基础分析了CIGS(Cu(In,Ga)(Se,S)2)的熔点和光吸收性质.计算结果和实验值符合的很好,计算得到Cu的3d电子与In,Ga的s电子杂化后的跃迁可以使CIGS吸收光子.CuInSe2的禁带宽度在1–1.16eV之间,CuGaSe2的禁带宽度在1.54–1.74eV之间,CuInS2的禁带宽度在1.4–1.61eV之间,CuGaS2的禁带宽度在2.36–2.44eV之间.用球磨、退火的方法得到CuIn0.5Ga0.5Se2单相,通过XRD得到晶体结构,差热分析得到熔点.根据晶体结构和熔点,用EET计算得出CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子的能量主要分布在1.17–1.56eV之间,禁带宽度接近较小值.黄铜矿结构的CIGS都可以吸收紫外光,其中CuInSe2的吸收效率最高,主要吸收峰在紫外区,CuGaSe2吸收紫外光的效率最低.; 孟振华付丽梅简郭永权; 关键词：CIGS EET 价电子结构

铜铟镓硒纳米粉体制备和结构表征: 应用真空电弧熔炼、固态反应方法制备铜铟镓硒(CIGS)半导体,利用机械球磨法制备了CIGS纳米粉体,采用XRD对制备的纳米粉体的结构进行表征,利用TREOR、PIRUM对衍射数据进行指标化,采用Rietveld全谱拟合分...; 付丽; 关键词：CIGS 球磨 XRD RIETVELD结构精修; 文献传递

NdIn3-xMnx合金化合物的结构和磁电输运性质: 2014年; 本文应用非自耗真空电弧炉制备稀土NdIn3-xMnx(x=0,0.2,0.3,0.5)合金化合物.采用X射线粉末衍射(XRD)研究其相成分和结构,利用TREOR对衍射数据进行指标化,采用Rietveld全谱拟合分析方法测定了NdIn3-xMnx的晶体结构.结果表明:当x≤0.3时,为具有AuCu3型结构,空间群为Pm3m,Z=1,点阵常数a=4.640(6)-4.738(7);当x=0.5时,化合物中出现杂相In.在x≤0.3固溶区,Mn原子部分取代In原子占据3c(0.5,0.5,0)晶位,Nd原子占据1a(0,0,0)晶位.NdIn3-xMnx的磁化曲线显示:当x≤0.2时,呈现出顺磁结构;当x=0.3时,呈现出弱铁磁性和顺磁性的混合.NdIn2.7Mn0.3电阻率在0–300 K区间变化呈半金属性.; 刘汉源付丽郭永权; 关键词：RIETVELD结构精修

全选清除导出

共1页<1>

付丽