您的位置: 专家智库 > >

黎维华

作品数:89 被引量:27H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国工程物理研究院发展基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 60篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 13篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 5篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇核科学技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程

主题

  • 41篇激光
  • 21篇激光器
  • 17篇太赫兹
  • 17篇光学
  • 13篇赫兹
  • 11篇传感
  • 10篇自由电子
  • 10篇自由电子激光
  • 10篇光学元件
  • 9篇量子级联
  • 9篇量子级联激光...
  • 8篇光谱
  • 7篇传感系统
  • 6篇太赫兹波
  • 6篇脉冲
  • 6篇激光损伤
  • 6篇半导体
  • 6篇FEL
  • 6篇波长
  • 5篇单分子

机构

  • 89篇中国工程物理...
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇北京应用物理...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 89篇黎维华
  • 47篇吴卫东
  • 47篇邓青华
  • 43篇沈昌乐
  • 42篇王雪敏
  • 40篇彭丽萍
  • 37篇蒋涛
  • 33篇王新明
  • 30篇阎大伟
  • 29篇赵妍
  • 28篇叶鑫
  • 25篇孙来喜
  • 21篇黄进
  • 19篇邵婷
  • 19篇石兆华
  • 17篇李青芝
  • 15篇周晓燕
  • 14篇王凤蕊
  • 12篇肖婷婷
  • 11篇黎明

传媒

  • 6篇强激光与粒子...
  • 4篇太赫兹科学与...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇激光技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇第八届全国激...
  • 1篇第七届全国激...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 9篇2018
  • 12篇2017
  • 8篇2016
  • 11篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2009
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
89 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种连续分布集成超表面微型光谱传感系统
本发明公开了一种连续分布集成超表面微型光谱传感系统,涉及光谱测量领域,主要技术问题是解决当前光谱仪尺寸大、重量重、不易于集成的问题。该系统包括超表面分光子系统、消色差成像子系统和面阵探测器;面阵探测器上设置有消色差成像子...
叶鑫唐烽李波郑万国吴卫东杨李茗李青芝邵婷邓青华黄进黎维华吴之清石兆华周晓燕孙来喜
一种熔石英光学元件清洗干燥夹持装置
本发明公开了一种熔石英光学元件清洗干燥夹持装置,光学元件清洗技术领域,熔石英光学元件清洗干燥夹持装置包括旋转动力组件、固定支架和夹持组件,所述固定支架用于与移动设备的移动端固定连接,所述旋转动力组件固定在所述固定支架上,...
黎维华石兆华李青芝邓青华周晓燕唐烽刘伟叶鑫
一种无损评价光学元件损伤性能的方法
本发明公开了一种无损评价光学元件损伤性能的方法,连续激光器能发出连续激光,经第一能量调节器、第一透镜、反射镜、样品正面后,照射到样品背面,连续激光经样品反射的反射方向上设有残余激光收集器;脉冲激光器能发出脉冲激光,经第二...
刘红婕蒋晓东王凤蕊黄进耿峰叶鑫孙来喜黎维华罗青
太赫兹QCL技术研究进展
2013年
综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。
沈昌乐王雪敏黎维华阎大伟赵妍罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:太赫兹波导频率稳定性
一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法
本发明涉及一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法,属于熔石英元件加工技术领域,对熔石英元件的表面进行反应离子刻蚀处理,所述反应离子刻蚀采用的等离子体包括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体,本发明采用纯干法刻...
邵婷孙来喜吴卫东叶鑫黎维华肖凯博高松张晓璐郑建刚
高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量:1
2013年
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。
王雪敏阎大伟沈昌乐赵妍黎维华周民杰罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:高电子迁移率晶体管多层结构
FEL驱动激光器的研究被引量:2
2009年
为了获得高亮度和高品质的电子束,在自由电子激光实验装置中采用光阴极注入器作为电子源,其驱动激光器系统采用主振功率放大结构,振荡器为二极管抽运连续锁模激光器,放大器为一级双程及两级单程二极管脉冲抽运放大,后接4倍频系统。经过工程研制及调试,获得的输出指标为:波长266nm,微脉冲能量4μJ,宏脉冲宽度2μs至6μs可调,微脉冲能量抖动优于3%。结果表明,采用Cs_2Te 阴极的光阴极注入器实验,该系统能够获得不低于40A 的电子束流,达到了自由电子激光实验对电子源的束流要求。
黎维华唐军陈亚男李福权李明中黎明杨兴繁
关键词:激光技术驱动激光器二极管抽运光阴极
基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法
本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法,属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃~640℃,期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温...
沈昌乐蒋涛王雪敏吴卫东湛治强彭丽萍黎维华王新明樊龙邓青华赵妍张颖娟阎大伟肖婷婷孙亮
文献传递
一种基于分形树状肋片的储热换热器
本发明公开了一种基于分形树状肋片的储热换热器,包括金属外壳,第一流体入口、第二流体出口,第一流体出口,第二流体出口,多个第二流体输送管,分形树状肋片,分形树状输液通道及固液相变材料;多个分形树状肋片形成多个容纳腔体,在容...
张颖娟潘大伟邵婷陈姝帆牛高黎维华李波
文献传递
3-8μmFEL混合型摇摆器调试
本文对3-8μmFEL混合型摇摆器的调试进行了阐述。3-8μmFEL摇摆器采用由04年研制完成的100μmFEL混合型摇摆器间隙从18mm调整为14mm后NdfeB为磁块、FeCoV为磁极的混合型结构。调试结果为:磁场峰...
邓德荣黎维华
关键词:电真空器件磁极结构电子轨迹
文献传递
共9页<123456789>
聚类工具0