黄淮
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A-IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路
- 2007年
- 本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电平下移功能。之后,还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路,它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A/600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器,而且适用于混合动力电动汽车。
- 王浩黄淮
- 关键词：驱动器集成电路混合动力电动汽车IGBT半桥式逆变系统短路保护
- 降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展被引量：4
- 2007年
- 本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。
- 黄淮吴郁亢宝位
- 关键词：MOSFET导通电阻SUPERJUNCTION
- 面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗被引量：2
- 2009年
- 提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。仿真结果还表明,在不同工作频率下,常闭型JFET的性能都不如T-MOSFET。样管初步测试结果证明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小45%,与仿真结果相一致。
- 田波吴郁黄淮胡冬青亢宝位
- 关键词：槽栅MOSFET功耗
