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黄兴

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 11篇纳米
  • 10篇单晶
  • 8篇自然降温
  • 6篇纳米管
  • 4篇纳米半导体
  • 4篇纳米管阵列
  • 4篇光电
  • 4篇半导体
  • 4篇ZNO单晶
  • 4篇传感
  • 3篇机械泵
  • 2篇电特性
  • 2篇电性质
  • 2篇电子器件
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米材料
  • 2篇蒸发法
  • 2篇生物传感
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇孟祥敏
  • 15篇黄兴
  • 6篇夏静
  • 5篇王磊
  • 3篇黄奔
  • 2篇朱丹丹
  • 1篇佟振合
  • 1篇卞僮
  • 1篇吴骊珠
  • 1篇张铁锐

传媒

  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 3篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法
本发明公开了一种一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO<Sub>2</Sub>制备一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核...
孟祥敏黄兴
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一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉...
孟祥敏黄兴
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一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
本发明公开了一种一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法，属于异质结构纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出一维ZnO/ZnS核壳结构的纳米阵列；通过醋酸除去ZnO核，得到...
孟祥敏黄兴
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一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法
本发明公开了一种大面积单层和多层二硒化钼单晶片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)衬底的清洗；2)将衬底、三氧化钼粉末和硒粉放入反应炉中；3)给反应炉内抽真空，充入不活泼气体；4)反应炉内升温、反应、自然降温；取出衬底，...
孟祥敏夏静黄兴
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ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法，属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料，并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS...
孟祥敏黄兴
一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法
本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即...
孟祥敏王磊黄兴夏静
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一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法
本发明公开了一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自...
孟祥敏王磊黄兴夏静黄奔
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一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法
本发明公开了一种一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO<Sub>2</Sub>制备一维ZnO/SnO<Sub>2</Sub>核...
孟祥敏黄兴
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ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法，属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料，并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS...
孟祥敏黄兴
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一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法
本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即...
孟祥敏王磊黄兴夏静
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