郭旭光
- 作品数：8 被引量：43H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 铁电晶体铌酸钾锂的拉曼和FT-IR光谱被引量：4
- 2003年
- 用提拉法生长了完整透明的铁电铌酸钾锂晶体 .利用X 射线荧光光谱法测量分析了晶体的组成 .采用X 射线测量了晶体的结构 .用结构完整、组分均匀 ,尺寸为 6× 6× 7(a×b×c)mm3 的晶体样品 ,测量了晶体的拉曼光谱和红外折射光谱 .与其它钨青铜类晶体的晶格振动光谱进行比较 ,铌酸钾锂晶体中对称弯曲振动模式v5在拉曼光谱中分裂为 3个拉曼峰 ,反对称伸缩振动模式v3 和反对称弯曲振动模式v4在红外反射光谱中所对应的峰被加宽 ,v4被轻微分裂 .
- 万尤宝赵强郭旭光陈静褚君浩SangImYoo
- 关键词：铌酸钾锂晶体非线性光学提拉法铁电晶体
- CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算被引量：11
- 2004年
- 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。
- 孙立忠陈效双郭旭光孙沿林周孝好陆卫
- 关键词：密度泛函理论FLAPW碲化镉
- 基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征被引量：6
- 2003年
- 通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置,且多数形成了GaMnN三元相。超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性。磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制。
- 王基庆陈平平李志锋郭旭光H.MakinoT.Yao陈弘黄绮周均铭陆卫
- 关键词：GAMNN离子注入超导量子干涉仪居里温度
- 交换关联势对FP-LMTO计算SnTe晶格常数及能带结构的影响被引量：6
- 2003年
- 用基于第一性原理的全势能线性Muffin Tin轨道组合 (FP LMTO)方法计算了SnTe的总能 ,给出了体系平衡时的晶格常数及其能带结构 ,并讨论了取不同的交换关联势对计算结果的影响 .
- 郭旭光陈效双陆卫
- 关键词：第一性原理晶格常数半导体材料
- 检测自由电子激光光强密度的设备及方法
- 本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括：自由电子激光器(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体...
- 陆卫江俊李宁李志锋陈效双郭旭光陈贵宾
- 文献传递
- (Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究被引量：8
- 2004年
- 用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体 (Ga ,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响 .计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列 .Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变 .Mn分布无序使空穴的局域性加强 .总能计算结果表明 (Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇 .
- 郭旭光陈效双孙沿林周孝好孙立忠陆卫
- 关键词：稀磁半导体密度泛函理论电子结构
- 检测自由电子激光光强密度的设备及方法
- 本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括：自由电子激光(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体材...
- 陆卫江俊李宁李志锋陈效双郭旭光陈贵宾
- 文献传递
- (Ga,Mn)As体系中Mn自补偿效应的第一性原理研究被引量：8
- 2004年
- 基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子 (MnI)对 (Ga ,Mn)As体系电子结构和磁性的影响 .计算结果表明MnI 在GaAs中是施主 ;代替Ga位的MnGa 与MnI 的自旋按反铁磁序排列 ;静电相互作用使MnGa,MnI 倾向于形成MnGa_MnI 对 .MnI 的存在一方面补偿了 (Ga ,Mn)As中的空穴 ,降低了空穴浓度 ;同时还使邻近的MnGa失活 .MnI 的存在对获得高居里温度的 (Ga ,Mn)
- 郭旭光陈效双孙沿林周孝好孙立忠陆卫
- 关键词：第一性原理反铁磁赝势高居里温度施主
