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邵长景

作品数:5 被引量:5H指数:2
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇导体
  • 2篇性能研究
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏性
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米针
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇半导体材料
  • 2篇ZNO
  • 1篇生长温度
  • 1篇室温
  • 1篇室温条件
  • 1篇气敏机理
  • 1篇气敏性能
  • 1篇热导率

机构

  • 5篇北京科技大学

作者

  • 5篇邵长景
  • 4篇常永勤
  • 2篇龙毅
  • 1篇王琳
  • 1篇崔兴达

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇第十八届全国...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏性能及其气敏机理被引量:3
2016年
采用化学气相沉积方法在预制好电极的玻璃基底上制备出Sn掺杂ZnO薄膜和纯ZnO薄膜.两种样品典型的形貌为四足状ZnO晶须,其直径约为150—400 nm,呈疏松状结构.气敏测试结果显示Sn掺杂ZnO薄膜具有优良的室温气敏性,并对乙醇具有良好的气敏选择性,而纯ZnO薄膜在室温条件下对乙醇和丙酮均没有气敏响应.X射线衍射结果表明两种样品均为六方纤锌矿结构.Sn掺杂ZnO样品中没有出现Sn及其氧化物的衍射峰,其衍射结果与纯ZnO样品对比,衍射峰向小角度偏移.光致发光结果表明,Sn掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜均出现紫外发光峰和缺陷发光峰,但是Sn的掺杂使得ZnO的缺陷发光峰明显增强.将Sn掺杂ZnO样品在空气中退火后,其室温气敏性消失,说明Sn掺杂ZnO样品的室温气敏性可能与其缺陷含量高有关.采用自由电子散射模型解释了Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏机理.
邢兰俊常永勤邵长景王琳龙毅
关键词:化学气相沉积
一种P掺杂ZnO纳米梳的制备及其光致发光性能研究被引量:2
2014年
采用化学气相沉积(CVD)方法制备了P掺杂ZnO纳米梳,扫描电子显微镜(SEM)结果显示,纳米梳状产物均匀分布在Si衬底上。P掺杂ZnO纳米梳为高度结晶的六方纤锌矿结构,ZnO中P的掺杂含量约为2%(原子分数)。室温光致发光(PL)光谱表明,P掺杂ZnO纳米梳在样品不同区域的发光性能略有不同,但是均出现3个发光峰:紫外、绿光和近红外发光峰。同时PL结果也表明样品的整体结晶质量比较好。
邵长景崔兴达常永勤龙毅
关键词:化学气相沉积光致发光
掺杂改性Al2O3纤维隔热材料性能研究
<正>通过向Al2O3纤维中分别掺杂ZrO2纤维和六钛酸钾晶须制备了新型隔热材料,粘结剂为B2C和SiC。研究了合适的烧结温度及掺杂材料加入量对隔热材料性能的影响。实验表明1100℃为最佳烧结温度。扫描电镜观察发现,Zr...
徐士亮王树明邵长景
关键词:掺杂改性热导率
文献传递
一种Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用
本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法,以及此种材料的应用,属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是,将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD(化学气相沉积)沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO...
常永勤邵长景
文献传递
一种Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用
本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法,以及此种材料的应用,属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是,将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD(化学气相沉积)沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO...
常永勤邵长景
文献传递
共1页<1>
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