赵振
- 作品数：13 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响
- 2015年
- 基于分子束外延(MBE)技术,以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长,在纳米洞位置,洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核,而随着InAs沉积量的增加,这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时,在纳米洞周围会形成尺寸均匀、分布有序且呈环状的量子点结构。
- 赵振周海月郭祥罗子江王继红王一魏文喆丁召
- 关键词：分子束外延INAS量子点
- 不同砷压下GaAs(001)表面γ(2×4)重构的温度不对称回滞
- 本文提出在真空室中利用RHEED(reflection high-energy electron diffraction,反射高能电子衍射仪)实时监控对GaAs (001)表面γ(2×4)重构的温度不对称回滞进...
- 魏文喆王一郭祥罗子江周海月赵振丁召
- 关键词：扫描隧道显微镜分子束外延
- Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1
- 2016年
- 采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。
- 周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召
- 关键词：分子束外延扫描隧道显微镜退火时间
- 扫描隧道显微镜探针的制备与修饰的方法研究被引量：2
- 2015年
- 基于改进的电化学腐蚀法,来制备扫描隧道显微镜的探针。在探针针尖形成的瞬间,通过断开电解液和针尖的直接接触有效地解决了尖端原子被残余电量二次腐蚀的问题;并利用液膜表面张力作用对探针进行修饰,来提高其针尖的尖锐程度。将修饰后的探针用于STM扫描,得到了清晰的Ga As(001)表面原胞排列图像,结果表明该方法所修饰的探针可用于低维半导体材料表面形貌和表面重构的研究。
- 赵振周海月郭祥罗子江丁召
- 关键词：扫描隧道显微镜电化学腐蚀
- 一种实现在电化学通路中样品部分腐蚀的实验装置
- 本实用新型公开了一种实现在电化学通路中样品部分腐蚀的实验装置，它包括阳极样品（3），所述阳极样品（3）密封固定在第一聚四氟乙烯空心圆环（2）和第二聚四氟乙烯空心圆环（6）的圆孔之间，聚四氟乙烯圆筒（1）密封套在第一聚四氟...
- 丁召刘健郭祥王一赵振周海月
- 文献传递
- 斜面上颗粒物质冲击力的实验研究
- 2012年
- 通过实验研究了颗粒在斜面上的流动现象,考察了同一倾角下,颗粒流动产生的冲击力F与颗粒直径D和滑移距离L的关系,并给出了在垂直于颗粒流动方向的横截面上,饱和冲击力Fb的分布.
- 赵振胡林余幼胜王星云庚振凯
- 关键词：颗粒流
- 生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2014年
- 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。
- 王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召
- 关键词：分子束外延IN0
- In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP(001)薄膜表面重构的研究
- 2015年
- 通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53Ga0.47As薄膜表面重构进行研究。研究发现在两种As4BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型。和低As4BEP条件相比,高As4BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型。对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生。
- 周海月赵振郭祥魏文喆王一黄梦雅罗子江丁召
- 多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究
- 2016年
- 通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始表面对于量子点分布的影响,未退火处理的衬底生长的InGaAs/GaAs量子点分布更加均匀且有序,量子链延伸得更长。
- 刘健王一郭祥王继红罗子江郎啟智赵振周海月丁召
- 关键词：量子点扫描隧道显微镜分子束外延
- InGaAs量子点生长均匀性可控性研究
- 本文利用分子束外延技术来制备 In(Ga)As量子点，以反射式高能电子衍射仪作为实时监测工具，在GaAs(001)衬底上沉积一定量的Ga元素形成Ga液滴，随后开启As阀晶化，研究了形成的GaAs纳米结构与Ga的沉积量、衬...
- 赵振
- 关键词：分子束外延
