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袁丽
作品数:
63
被引量:2
H指数:1
供职机构:
江苏理工学院
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相关领域:
一般工业技术
文化科学
金属学及工艺
哲学宗教
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合作作者
朱小芹
江苏理工学院数理学院
胡益丰
江苏理工学院
吴卫华
江苏理工学院
邹华
江苏理工学院
薛建忠
江苏理工学院
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低成本高科技物理实验资源开发
2014年
新材料、新技术为开发物理实验资源提供了广阔空间。低成本、高科技物理实验不仅操作简单,运用广泛,而且作用强大。本文例举了粘滞力确定、模拟安全气囊传感器、模拟分光计三类低成本、高科技物理实验的开发实例,展现了这类实验资源的特点,及其对培养学生的动手操作能力和物理学习兴趣的重要作用。
袁丽
关键词:
课程资源
一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法,相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成,其化学组成通式为N<Sub>x</Sub>(Zn<Sub>15</Sub>Sb<Sub>85</Sub>)<Sub>1‑x</...
朱小芹
胡益丰
薛建忠
吴卫华
眭永兴
郑龙
袁丽
江向荣
文献传递
用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料,其特征在于:Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构,由Ge层和Sb层交替沉积复合而成,将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期...
胡益丰
朱小芹
吴世臣
邹华
袁丽
吴卫华
张建豪
眭永兴
沈大华
文献传递
一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料,Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构,多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲...
朱小芹
胡益丰
邹华
袁丽
吴卫华
郑龙
张建豪
吴世臣
眭永兴
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用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料,为多层复合膜结构,由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成,将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期...
胡益丰
潘佳浩
吴小丽
朱小芹
吴世臣
邹华
袁丽
吴卫华
张建豪
眭永兴
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一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途,所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu<Sub>28</Sub>Sn<Sub>33</Sub>Se<Sub>39</Sub>,所述Cu‑S...
胡益丰
尤海鹏
朱小芹
邹华
袁丽
张剑豪
孙月梅
薛建忠
吴世臣
吴卫华
郑龙
翟良君
氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法,相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成,其化学组成通式为N<Sub>x</Sub>(Zn<Sub>15</Sub>Sb<Sub>85</Sub>)<Sub>1‑x<...
朱小芹
胡益丰
薛建忠
吴卫华
眭永兴
郑龙
袁丽
江向荣
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一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料,Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构,由Ge层和Sb层交替沉积复合而成,将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰
朱小芹
吴世臣
邹华
袁丽
吴卫华
张建豪
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一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的薄膜材料由铒、硒、锑三种元素组成,其化学通式为Er<Sub>x</Sub>(Se<Sub>y</Sub>Sb<Sub>100...
邹华
胡益丰
朱小芹
薛建忠
张建豪
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袁丽
孙月梅
吴卫华
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一种Sb<sub>70</sub>Se<sub>30</sub>/SiO<sub>2</sub>多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及纳米材料技术领域,涉及一种Sb<Sub>70</Sub>Se<Sub>30</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb<Sub>70</Sub>S...
张丹
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朱小芹
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