薛华
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西北民族大学物理工程技术学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 真空应用设备中的常用调压方法被引量：1
- 2004年
- 简单介绍真空应用设备中的几种调压方式 ,对不同调压方式的实现及应用进行了简单介绍 。
- 周志文薛华
- 关键词：真空设备调压方法
- 与时俱进 深化改革——物理工程技术学院对深化改革的几点设想
- 2003年
- 今年 4月 1 6日经教育部批准 ,西北民族学院成功更名为西北民族大学。 5月 2 8日 ,在全国人民奋勇抗击“非典”的特殊时期 ,西北民族大学的挂牌仪式如期举行。值此欢庆之际 ,本刊特约请部分专家撰文 ,或抒发自己的喜悦之情 ,或畅谈自己的深切感受 ,或为西北民族大学的发展建言献策。
- 薛华
- 关键词：民族高等院校教学
- 纳米硅的拉曼散射和可见光致发光被引量：1
- 2003年
- 我们用射频共溅射技术和后退火处理,获得在石英、Si和Ge衬底上的纳米晶Si(nc-Si) Raman测量清楚地显示出nc-Si的类Lo模(～518cm-1)和类To模(～814cm-1),Raman峰的半高宽(FWHM)和积分强度也显示随退火温度Ta增加的变化,这一结果同nc-Ge/SiO2的情况类同,退火温度Ta=650℃时,nc-Si的平均尺寸为4.9nm 我们用514.5nm的Ar+激光激发,得到了室温可见PL,结果表明:PL谱在2.2eV处有一强的发光峰,与nc-Ge/SiO2相比,SiO2中nc-Si的PL峰更强,峰值能量较大,相应的Ta也较高,当Ta>800℃和Ta<600℃时,PL峰很弱 通过地研究膜中nc-Si的含量与PL峰之间的关系,表明nc-Si的含量对PL峰的积分强度有重要影响,对峰位影响不大,当Si/SiO2靶面积比为1∶1时。
- 薛华周志文
- 关键词：纳米硅拉曼散射退火温度纳米半导体光学性质
