董琳
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、GaAs和ZnO薄膜的原子层淀积研究
- 随着集成电路工业的飞速发展,CMOS工艺已经成为了当前最为主流的集成电路工艺。然而,随着集成电路特征尺寸的不断减小,一些传统工艺已无法适应集成电路的发展。比如当特征尺寸减小到45nm以下时,等效栅氧化层的厚度将会变得小于...
- 董琳
- 关键词：原子层淀积高介电常数密度泛函理论
- 高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能被引量：8
- 2009年
- 氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。
- 薛原徐赛生董琳丁士进张卫
- 关键词：氧化铪介质材料原子层淀积
- 环孢素A对小鼠自然流产模型妊娠预后的影响及其分子机制
- 环孢素A(CyclosporinA，CsA)自20世纪70年代应用于临床以来，作为免疫抑制剂发挥了极其重要的作用：是目前公认的抑制移植后排斥反应最为有效的药物之一。CsA是一种具有亲脂性的环状多肽化合物，该药能通过竞争性...
- 董琳
- 关键词：免疫耐受免疫排斥自然流产模型环孢素A
- 文献传递
- Al2O3、GaAs和ZnO薄膜的原子层淀积研究
- 随着集成电路工业的飞速发展,CMOS工艺已经成为了当前最为主流的集成电路工艺。然而,随着集成电路特征尺寸的不断减小,一些传统工艺已无法适应集成电路的发展。比如当特征尺寸减小到45nm以下时,等效栅氧化层的厚度将会变得小于...
- 董琳
- 关键词：原子层淀积高介电常数密度泛函理论
- 文献传递
- N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
- 2009年
- 采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。
- 施煜刘晗董琳孙清清丁士进叶培德张卫
- 关键词：原子层淀积电容-电压特性
