胡伟达
- 作品数：212 被引量：313H指数：10
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长沙市科技计划项目湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法
- 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，...
- 胡伟达陈允枫王振叶家富李庆王芳张莉丽王鹏陈效双陆卫
- 一种陶瓷-金属结合剂金刚石磨具及其制备方法
- 本发明公开了一种陶瓷-金属结合剂金刚石磨具及其制备方法，所述的制备方法为：先按照以下组分及重量比例准备物料并球磨制得金属-陶瓷结合剂：SiO<Sub>2</Sub> 40-50％、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
- 万隆王志起刘小磐胡伟达翟浩冲张国威
- 光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究被引量：10
- 2007年
- 报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径,分析了拟合参数的误差范围.通过对实际器件的R-V特性曲线的拟合计算,给出了实际器件的基本特征参数,验证了该数据处理途径的实用性.
- 全知觉李志锋胡伟达叶振华陆卫
- 关键词：光伏探测器暗电流
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
- 2011年
- 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
- 杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
- 关键词：沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
- 一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法
- 胡伟达陈效双陆卫
- 一种Al<,2>O<,3>/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件及制作方法，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及...
- 关键词：
- 关键词：制作方法
- BMI树脂CBN超精油石制备及性能研究
- 2010年
- 以丙酮为溶剂溶解BMI树脂,将制成的树脂液与CBN磨料按比例混合均匀形成料浆,浇注成型后加热挥发丙酮并使树脂固化制备CBN超精油石.从油石微观结构上分析了丙酮的最佳用量,结果表明:丙酮用量低于16.9%时,无法将CBN磨料与BMI树脂混合均匀;丙酮用量为23.4%～29.0%时,可制备成均匀稳定的料浆;丙酮用量高于33.8%时,料浆中的CBN磨料会连续沉降.另外,当丙酮用量为23.4%时,BMI树脂比例在7%～16%范围内随着含量的增加油石强度和硬度增大,超过16%时粘度的增加将导致丙酮不易挥发,油石中存在大量的气孔,其强度和硬度均反而降低.
- 万隆张国威胡伟达刘小磐张洪磊
- 关键词：BMI树脂浇注CBN磨料
- 一种室温太赫兹霍尔整流器及其制备方法和应用
- 本发明属于太赫兹光电探测技术领域，提供一种室温太赫兹霍尔整流器及其制备方法。本发明的室温太赫兹霍尔整流器包括基底层、吸收层和仿氧化介质保护层，基底层和吸收层层叠设置；吸收层包括分散设置的钽镍碲层和端金属电极层；端金属电极...
- 王林潘晓凯胡震陈效双胡伟达陆卫
- 混合维度范德华异质结室温双色红外探测器
- 本专利公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器。器件的制备步骤是利用一定比例的氢氟酸和氟化铵制备的缓冲氧化物刻蚀液刻蚀双面抛光的Si/SiO<Sub>2</Sub>，形成Si窗口。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二...
- 胡伟达吴培松王鹏李庆张莉丽王芳谢润章苗金水王振贺婷付晓陈效双陆卫
- 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3
- 2013年
- 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。
- 于杰王茺杨洲胡伟达杨宇
- 关键词：温度P-MOSFET自热效应
- 紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法
- 本发明公开了一种紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面，Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射，由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层，从而可以实...
- 胡伟达白杰陈效双陆卫
