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胡伟达

作品数:198 被引量:305H指数:10
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金长沙市科技计划项目湖南省科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 112篇专利
  • 68篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 55篇电子电信
  • 23篇金属学及工艺
  • 17篇一般工业技术
  • 12篇理学
  • 10篇化学工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 3篇医药卫生
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  • 2篇建筑科学
  • 2篇文学
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  • 1篇冶金工程
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 74篇探测器
  • 58篇红外
  • 33篇光电
  • 28篇纳米
  • 28篇红外探测
  • 26篇光电探测
  • 26篇光电探测器
  • 25篇红外探测器
  • 23篇碲镉汞
  • 22篇焦平面
  • 20篇结合剂
  • 19篇陶瓷结合剂
  • 19篇刚石
  • 18篇金刚石
  • 17篇异质结
  • 17篇红外焦平面
  • 15篇纳米线
  • 15篇暗电流
  • 14篇长波
  • 11篇电子束曝光

机构

  • 143篇中国科学院
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  • 6篇中国科学院研...
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  • 5篇云南大学
  • 5篇武汉理工大学
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  • 2篇醴陵市三塘瓷...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇长沙学院
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇南通大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 198篇胡伟达
  • 100篇陆卫
  • 96篇陈效双
  • 43篇王鹏
  • 29篇万隆
  • 25篇叶振华
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  • 22篇李庆
  • 18篇胡晓宁
  • 15篇李天信
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  • 11篇李志锋
  • 10篇王建禄
  • 10篇陈宪宏

传媒

  • 15篇红外与毫米波...
  • 7篇物理学报
  • 4篇红外与激光工...
  • 4篇金刚石与磨料...
  • 4篇材料导报
  • 3篇硅酸盐学报
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  • 3篇红外技术
  • 3篇复合材料学报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇合成化学
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇湖南工业大学...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇物理
  • 1篇特种铸造及有...
  • 1篇红外
  • 1篇表面技术
  • 1篇功能材料

年份

  • 5篇2024
  • 11篇2023
  • 7篇2022
  • 17篇2021
  • 12篇2020
  • 5篇2019
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  • 12篇2012
  • 17篇2011
  • 19篇2010
  • 12篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
198 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种陶瓷-金属结合剂金刚石磨具及其制备方法
本发明公开了一种陶瓷-金属结合剂金刚石磨具及其制备方法,所述的制备方法为:先按照以下组分及重量比例准备物料并球磨制得金属-陶瓷结合剂:SiO<Sub>2</Sub> 40-50%、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>...
万隆王志起刘小磐胡伟达翟浩冲张国威
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究被引量:10
2007年
报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径,分析了拟合参数的误差范围.通过对实际器件的R-V特性曲线的拟合计算,给出了实际器件的基本特征参数,验证了该数据处理途径的实用性.
全知觉李志锋胡伟达叶振华陆卫
关键词:光伏探测器暗电流
Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量:2
2011年
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
关键词:沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
一种双沟道MOS-HEMT器件及制作方法
胡伟达陈效双陆卫
一种Al<,2>O<,3>/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件及制作方法,包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及...
关键词:
关键词:制作方法
BMI树脂CBN超精油石制备及性能研究
2010年
以丙酮为溶剂溶解BMI树脂,将制成的树脂液与CBN磨料按比例混合均匀形成料浆,浇注成型后加热挥发丙酮并使树脂固化制备CBN超精油石.从油石微观结构上分析了丙酮的最佳用量,结果表明:丙酮用量低于16.9%时,无法将CBN磨料与BMI树脂混合均匀;丙酮用量为23.4%~29.0%时,可制备成均匀稳定的料浆;丙酮用量高于33.8%时,料浆中的CBN磨料会连续沉降.另外,当丙酮用量为23.4%时,BMI树脂比例在7%~16%范围内随着含量的增加油石强度和硬度增大,超过16%时粘度的增加将导致丙酮不易挥发,油石中存在大量的气孔,其强度和硬度均反而降低.
万隆张国威胡伟达刘小磐张洪磊
关键词:BMI树脂浇注CBN磨料
混合维度范德华异质结室温双色红外探测器
本专利公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器。器件的制备步骤是利用一定比例的氢氟酸和氟化铵制备的缓冲氧化物刻蚀液刻蚀双面抛光的Si/SiO<Sub>2</Sub>,形成Si窗口。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二...
胡伟达吴培松王鹏李庆张莉丽王芳谢润章苗金水王振贺婷付晓陈效双陆卫
温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量:3
2013年
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。
于杰王茺杨洲胡伟达杨宇
关键词:温度P-MOSFET自热效应
紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法
本发明公开了一种紫外红外双色焦平面探测器阵列及其性能设计和制备方法。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面,Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射,由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层,从而可以实...
胡伟达白杰陈效双陆卫
HgCdTe红外焦平面阵列像素内灵敏度函数仿真被引量:2
2021年
对于Fλ/d<2的欠采样成像红外搜索和追踪系统,点目标能量集中在单像素内。由于焦平面阵列像素内灵敏度(IPS:Intra-PixelSensitivity)存在空间非均匀性,会降低目标的能量和质心测量精度。传统的光点扫描实验测试和数值仿真方法可有效表征和分析IPS,但系统和模型复杂度高、效率低,且实验测试无法分析IPS空间非均匀性与探测器参数的关系。针对上述问题,提出基于蒙特卡洛方法的HgCdTe红外焦平面阵列IPS仿真模型,分析了IPS空间非均匀性的影响因素。结果表明,减小像素中心距或增大吸收层厚度,IPS的空间非均匀性减小;随波长增大,IPS的空间非均匀性增大。该仿真和分析对高能量集中点目标测量精度的提升具有重要参考意义。
钟篱苏晓锋胡伟达陈凡胜
关键词:HGCDTE红外焦平面阵列非均匀性蒙特卡洛方法
溶胶-凝胶法在金刚石表面涂覆纳米TiO2薄膜被引量:4
2008年
通过溶胶-凝胶法制备二氧化钛溶胶,采用浸渍的方法在工业金刚石表面涂覆TiO2薄膜.扫描电镜和能谱分析结果表明,该方法可以在金刚石表面涂覆TiO2薄膜,薄膜将金刚石磨料包裹完全.红外光谱分析显示TiO2与基体金刚石表面形成稳定的Ti—O—C化学键.综合热分析对金刚石抗氧化性能检测结果为:涂膜金刚石较未涂膜金刚石抗氧化温度提高100℃.
胡伟达万隆刘小磐于明涛唐望
关键词:TI02溶胶凝胶
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