管庆才
- 作品数：25 被引量：33H指数：4
- 供职机构：山东大学晶体材料研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 掺铌KTP晶体的生长和性质研究被引量：13
- 1995年
- 本文详细报道了Ｎｂ∶ＫＴＰ的生长及其形态、缺陷等研究结果。采用不同方法生长了多种含铌组分的Ｎｂ∶ＫＴＰ晶体，探索并确定了晶体倍频角与含Ｎｂ量关系的变化趋势，并在Ｎｂ∶ＫＴＰ晶体中实现了９０°非临界相位匹配。
- 魏景谦王继扬刘耀岗邵宗书王长青管庆才蒋民华
- 关键词：磷酸钛氧钾非线性光学晶体晶体生长
- 熔盐提拉法生长光折变晶体K(Ta,Nb)O_3被引量：5
- 1990年
- 本文报道以熔盐提拉法生长大尺寸高质量的K(Ta,Nb)O_3晶体。完整透明的立方相KTN晶体尺寸达35x33x10mm。测量了晶体的组分、均匀性、电学和热学等性质。初步观察了晶体的光折变现象,并对晶体籽晶取向与生长形态关系等问题进行了讨论。
- 刘耀岗管庆才魏景谦王继扬杨兆荷王民
- 关键词：晶体生长光折变晶体
- KTN∶Cu晶体的铁电和光折变性能被引量：1
- 1992年
- 用熔盐提拉法培育了掺 Cu^(2+)离子的 KTa_(1-x)Nb_xO_3(KTN∶Cu,x=0.32)晶体;在±160℃范围内测量了介电常数、介质损耗、自发极化强度和热释电系数;用 Ar 激光和二波混频法测量了室温下的光折变性能;扼要讨论了它的铁电相变特点和光折变性质.结果表明,该晶体的两个铁电-铁电相变为一级相变,而它的铁电相变已开始趋向于二级相变;室温立方相的衍射效率已高达52%,光折变灵敏度为3.2×10^(-6)cm^3/J,光折变动态范围Δn 为2.33×10^(-5),表现出良好的光折变应用前景.
- 王民管庆才王继扬刘耀岗魏景谦
- 关键词：铁电性钽铌酸钾
- KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究被引量：1
- 1994年
- 利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．
- 胡正伟蒋树声冯端王继扬管庆才刘耀岗蒋建华
- 关键词：光折变晶体X射线KTN
- Nd^(3+)∶GdAl_3(BO_3)_4晶体的光谱性质和强度参数被引量：3
- 1998年
- 报道了NdxGd1-xAl3 (BO3 ) 4(简称为NGAB)晶体的光学性质 .测量了NGAB晶体的折射率 ,室温吸收谱及室温荧光谱 .根据J_O理论计算了NGAB晶体的振子强度 ,拟合参数Ωλ(λ =2 ,4,6 )分别为 :Ω2 =1 80 5× 1 0 -2 0 ,Ω4=1 81 5× 1 0 -2 0 ,Ω6=3 793× 1 0 -2 0 (RMS =1 4× 1 0 -7) .计算了NGAB晶体的光谱参数 ,其中τtot=377.5 2 6 μs,βc( 4 F3 / 2 →4F11/ 2 ) =0 5 2 3.
- 田丽莉王继扬魏景谦潘恒福管庆才胡晓波刘耀岗王长青Y.T.Chow
- 关键词：光谱性质
- 国外材料学新动向
- 1999年
- 由美国材料研究学会主办的MRS1998春季会议于4月13-17日在美国加州旧金山市举行。出席者有来自28个国家的2000余人,并有400多家公司展出产品。会议有7个短课。
- 管庆才
- 关键词：材料学非晶硅低介电常数材料超大规模集成电路多孔硅磁光材料
- 四方相KTN晶体的拉曼光谱被引量：5
- 1993年
- 本文报道四方相KTN晶体的拉曼振动谱,并比较不同掺杂和在不同温度下的振动谱图,讨论了其中的差异及其产生的原因。
- 王继扬李丽霞管庆才魏景谦刘耀岗
- 关键词：散射谱相变
- Fe:KTN晶体的二波耦合特性研究被引量：3
- 1992年
- 首次报道四方相FeiKTN晶体的二波耦合性质.测得晶体的二波耦合增益系数和衍射效率分别为7.3cm^(-1)和42％,响应时间为2.8sec.文中还分析了主要载流子的符号并计算了其它参数.
- 管庆才王继扬魏景谦刘耀岗蒋民华王大地杨华光叶佩弦
- 关键词：二波耦合铁晶体
- KTa_(0.62)Nb_(0.36)O_3晶体的二次电光效应被引量：1
- 1991年
- 用一种简单、高灵敏度的方法测量了 KTa_(0.62)Nb_(0.38)O_3晶体的二次电光系数,结果为 g_(11)-g_(12)=0.217,g_(44)=0.167m^4/c^2。
- 尹鑫王继扬管庆才
- 关键词：晶体电光效应电光系数
- 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
- 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺，属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为M：KTa<Sub>1-x</Sub>Nb<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，x＝0.40-0.52，M是Fe，Cu，Ni，C...
- 王继杨魏景谦管庆才刘耀岗邵宗书蒋民华
- 文献传递
