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祁娇娇

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇高压器件
  • 5篇横向高压器件
  • 4篇导电类型
  • 4篇载流子
  • 4篇漂移区
  • 4篇热载流子
  • 4篇功率器件
  • 3篇热载流子效应
  • 3篇半导体功率器...
  • 3篇半导体技术
  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇漂移
  • 2篇介质填充
  • 2篇场强
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电离
  • 1篇电离率

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇祁娇娇
  • 7篇乔明
  • 7篇张波
  • 4篇章文通
  • 4篇薛腾飞
  • 3篇周锌
  • 1篇叶珂

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种半导体器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于半导体器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区31上进行刻蚀，形成介质槽2；在介质槽2的一侧注入P型杂质，形成P型杂质条43；在介质槽2的另...
乔明章文通祁娇娇薛腾飞张波
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一种横向功率器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条2...
乔明章文通叶珂祁娇娇薛腾飞张波
文献传递
一种横向高压器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移...
乔明章文通薛腾飞祁娇娇张波
一种横向高压器件
本发明涉及半导体功率器件领域，具体的说是提出一种减小热载流子效应的横向高压器件。本发明为了克服传统横向高压器件的热载流子效应问题，在第一导电类型阱区中设置有轻掺杂的第一导电类型缓冲区，由于轻掺杂浅第一导电类型缓冲区的引入...
乔明周锌祁娇娇张波
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一种横向高压器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移...
乔明章文通薛腾飞祁娇娇张波
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SOI高压薄层LDMOS可靠性的研究
由于SOI LDMOS器件具有开关速度快、功耗低、介质隔离性好以及易于集成等优点，在电子驱动、电源管理和汽车电子等领域得到广泛的应用。SOI LDMOS器件经常工作在高温、大电流等条件下，所以对器件的可靠性具有很高的要求...
祁娇娇
关键词：自热效应热载流子注入
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一种减小热载流子效应的横向高压器件
本发明提供了一种减小热载流子效应的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统横向高压器件的浅槽隔离区内设置了一个高介电常数介质块，使得第二导电类型阱区靠近高介电常数介质块附近的电场强度减小，载流子温度和碰撞电离率...
乔明周锌祁娇娇张波
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一种横向高压器件
本发明涉及半导体功率器件领域，具体的说是提出一种减小热载流子效应的横向高压器件。本发明为了克服传统横向高压器件的热载流子效应问题，在第一导电类型阱区中设置有轻掺杂的第一导电类型缓冲区，由于轻掺杂浅第一导电类型缓冲区的引入...
乔明周锌祁娇娇张波
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