田玉莲 作品数:74 被引量:198 H指数:10 供职机构: 中国科学院高能物理研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 博士科研启动基金 国家教育部博士点基金 更多>> 相关领域: 理学 核科学技术 机械工程 电子电信 更多>>
Ia型天然金刚石结构缺陷的同步辐射形貌研究 被引量:3 2001年 红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮 ,属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究 ,在近完整晶体内近中心的 ( 0 0 1)和 ( 0 10 )结晶学平面内观察到生长带 ,生长方向平行于 ( 10 0 )和 ( 0 10 )。在欠完整晶体内小角度晶界发育 ,取向角达 2 .5°以上。 于万里 田玉莲 黄万霞关键词:金刚石 红外吸收光谱 Ia型天然金刚石结构缺陷的同步辐射形貌研究 2001年 红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮,属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究.在近完整晶体内近中心的001)和(010)结晶学平面内观察到生长带,生长方向平行于(100)和(010).在欠完整晶体内小角度晶界发育,取向角达2.5^*以上.晶体完整性与氮含量无明显相关关系. 于万里 田玉莲 黄万霞关键词:组织形貌 红外吸收光谱 晶体结构 LiNdP_4O_(12)晶体的生长缺陷 被引量:3 2000年 LiNdP4 O12 (LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷 ,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构 ,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述 ,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽 ,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。 刘希玲 牟其善 彭祖建 张杰 马长勤 路庆明 王绪宁 田玉莲关键词:包裹物 位错 晶体生长 激光材料 LiAlO2晶体位错特征的X射线形貌分析 1998年 徐科 田玉莲 等天然金刚石平行{100}的正常生长 2001年 利用同步辐射对天然金刚石晶体进行了形貌学研究,在近完事晶体内观察到晶体以平行{100}生长为主的正常生长,而不是前人所常见的平行{111}生长。生长带方向平行于(100)、(100)和(010)、(010)。生长带分布在偏离晶体中心的曲面内。由生长带的分布与形态可以观察到晶体不同晶面的生长速度具有明显差异。 于万里 李兰杰 田玉莲 蒋建华 黄万霞关键词:晶体生长 生长带 LiGaO2晶体的压电特性和缺陷的X射线貌相研究 1998年 徐科 田玉莲 等关键词:压电特性 位错 NdxY1—xAl3(BO3)4(NYAB)系列晶体中的生长缺陷 1998年 采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB)晶体中的生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在的缺陷。NGAB晶体中的孪晶为180°旋转孪晶,操作轴为[0001]轴,即结构的三次对称轴,该孪晶以结构因子的衬度出现在X射线形貌像中:而YbYAB晶体中的孪晶则为反演孪晶,主晶与孪晶的结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸的衬底,而仅出现界面的运动学衬度。 胡小波 田玉莲 等关键词:晶体缺陷 激光晶体 X射线相衬成像用于生物碱沉淀研究的可行性 被引量:4 2004年 生物碱与一些特殊的试剂作用生成沉淀。这些反应可用于生物碱的检测和精制。本文分别在同步辐射装置和微聚焦 X 射线成像系统上用 X 射线相衬成像(XPCI)方法研究了三种不同类型的生物碱沉淀的结构。研究结果显示:在 Hager 试剂作用下,有机胺类的秋水仙碱沉淀呈针状,吡啶类的槟榔碱沉淀呈胶团状,异喹啉类的小檗碱沉淀呈花瓣状。与目测或在光学显微镜下观察到的形态有很大差别。为今后用 XPCI 方法研究更复杂的化学反应体系提供参考和依据。 魏逊 肖体乔 陈敏 骆玉宇 席再军 刘丽想 杜国浩 徐洪杰 田玉莲 朱佩平 黄万霞 袁清习关键词:生物碱 硬X射线相位衬度成像的实验研究 被引量:15 2005年 介绍了硬X射线(类同轴)相位衬度成像的工作原理及其实验研究结果。X射线波长为0 08860 nm,样品为未经任何处理的飞蛾,记录介质为X射线胶片。胶片经处理以后,用光学显微镜读出,可以看出样品的许多细节,尤其在折射率突变处。而同样条件下基于吸收衬度机制的硬 X射线吸收成像,由于是弱吸收样品,没有观察到任何图像。 高鸿奕 谢红兰 陈建文 李儒新 徐至展 田玉莲 朱佩平 冼鼎昌关键词:X射线光学 相衬成像 Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向 被引量:19 2000年 用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面 ,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。 杨培志 邓佩珍 殷之文 田玉莲关键词:YB:YAG晶体 应力双折射